[发明专利]包含功率器件的半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201110409281.2 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102446961A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 功率 器件 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种包含功率器件的半导体装置，其特征在于，其包括：
MOS管，所述MOS管包括栅极以及分布与所述栅极两侧的源极和漏极，所述源极和漏极上形成有接触孔，所述接触孔的尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述源极和漏极中不接地的一个所包括的接触孔下方，还包括对应于所述源极和漏极的扩散区类型的阱区域，所述阱区域的深度大于所述源极和漏极的扩散区的深度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述源极和漏极的接触孔为矩形接触孔，所述矩形接触孔的长边与所述栅极的边平行。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述MOS管还包括衬体，所述衬体上形成有接触孔，所述衬体的接触孔的尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述矩形接触孔的宽等于或大于标准工艺中的最小接触孔宽度，所述矩形接触孔的长大于标准工艺中的最小接触孔宽度。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极包括若干条并列平行的矩形栅极，所述若干条并列平行的矩形栅极之间的间距相等。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极包括若干条并列平行的矩形栅极，所述若干条并列平行的矩形栅极之间的漏极所属间距等于第一间距，所述若干条并列平行的矩形栅极之间的源极所属间距等于第二间距，所述第一间距大于第二间距。
8.一种包含功率器件的半导体装置的制备方法，其特征在于，其包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成栅极以及分布与所述栅极两侧的源极和漏极；
在所述源极和漏极中上形成尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸的接触孔。
9.根据权利要求8所述的包含功率器件的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述源极和漏极时，还在所述源极和漏极中不接地的一个所包括的接触孔下方，形成对应于所述源极和漏极的扩散区类型的阱区域，所述阱区域的深度大于所述源极和漏极的扩散区的深度。
10.根据权利要求8或9所述的包含功率器件的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述在所述源极和漏极上形成尺寸大于标准工艺中的接触孔尺寸的接触孔，具体包括；
在所述源极和漏极上形成矩形接触孔，所述矩形接触孔的宽等于或大于标准工艺中的最小接触孔宽度，所述矩形接触孔的长大于标准工艺中的最小接触孔宽度。
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