[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110404132.7 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683381A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 金容铎;赵尹衡;吴敏镐;李炳德;李昭玲;曺尚焕;郑允雅;宋昇勇;李钟赫 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板，所述基板上有多个有机发光元件；以及
位于所述基板上的薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述多个有机发光元件，
所述薄膜封装层包括第一多孔无机层和位于所述第一多孔无机层上的第二无机层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一多孔无机层由氮碳化硅制成，并且所述第二无机层由氮化硅制成。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一多孔无机层是所述薄膜封装层中的多个第一多孔无机层之一，并且所述第二无机层是所述薄膜封装层中的多个第二无机层之一，并且所述多个第一多孔无机层和所述多个第二无机层交替堆叠在所述薄膜封装层中。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一多孔无机层的层密度为1.4g/cm3到1.8g/cm3。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二无机层的层密度为2.0g/cm3到3.5g/cm3。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一多孔无机层的折射率为1.5到1.75。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一多孔无机层的厚度为0.5μm到1.5μm。
8.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二无机层的厚度为0.5μm到1.5μm。
9.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
在形成有多个有机发光元件的基板上形成覆盖所述多个有机发光元件的第一多孔无机层；以及
形成覆盖所述第一多孔无机层的第二无机层。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中所述第一多孔无机层由氮碳化硅制成，并且所述第二无机层由氮化硅制成。
11.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中所述第一多孔无机层通过混合包括硅烷、氨、氮、氢和乙炔的材料而形成。
12.根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中所述第二无机层通过混合包括硅烷、氨、氮和氢的材料而形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
