[发明专利]去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110400967.5 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151256A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 栅极 边墙下 残留 多晶 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在常规的多晶硅引线干法刻蚀工艺流程的末尾，增加一步多晶硅的各向同性过刻蚀，将栅极边墙下的凹口内残留的多晶硅刻蚀掉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各向同性过刻蚀采用以六氟化硫和氧气为主的刻蚀气体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体中还含有氦气。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各向同性过刻蚀的压力为50～200MT，下部电极功率为0～15瓦，上部电极功率为50～200瓦。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各向同性过刻蚀的刻蚀时间为5～30秒。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各向同性过刻蚀对二氧化硅膜的选择比为25～35。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述各向同性过刻蚀步骤完成后，再做一次多晶硅过刻蚀。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多晶硅过刻蚀的刻蚀气体以溴化氢和氧气为主，对二氧化硅膜的刻蚀选择比大于100。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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