[发明专利]一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板制作方法有效

专利信息
申请号: 201110382273.3 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102566175A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 陈政鸿 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛;田夏
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,更具体的说,涉及一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板制作方法。

背景技术

液晶显示装置包括液晶面板,液晶面板包括相互对置的阵列基板和彩色滤光板(CF),中间注满了液晶。阵列基板上设有多个画素电极4,彩色滤光板上设有公共电极,调整画素电极4和公共电极之间的电压就能控制液晶分子的倾角,从而形成不同的灰阶。一般液晶显示器的视角比较小,采用PVA,PSVA等液晶显示模式可以具有较宽泛的视角,以PSVA(Polymer stability vertical alignment)为例,如图1所述,为一传统的聚合物稳定垂直对齐模式的画素设计,其画素电极4可以大致地分成四个区域且其电极狭缝分别朝向图示的A、B、C、D四个不同的方向,当上下板电极存在有电位差时,其画素设计所造成的电力线的形貌可将液晶分子大略地形成四个方向的倾倒,再通过液晶或是配向层中所存在的光或热反应材料,照光或是加热使得配向层表面的液晶分子固化并往四个方向形成预倾角,这就是一般所熟知的PSVA原理。

本发明文件所述的PSVA技术泛指广义的PSVA技术,可参考下面四篇介绍:

1.SID′04 Digest,p.1200;PSA

2.SID′09Digest,p.666;SC-PVA

3.IDW′09,p.747;SC-PVA

4.SID′10 Digest,p.595  FPA

一般PSVA之画素电极4呈现羽毛形状,在PSVA制程之加电压的过程中,画素电极4必须要存在着电极狭缝才可以利用电力线之分布使得液晶分子大致地往所设计的方向倾倒而后加热或照光固化配向层表面的液晶而形成预倾角。但实际在亮态驱动下,由于电极狭缝上方之电场垂直方向的分量较小,液晶分子在此并无法做最有效的倾倒,因此电极狭缝区的亮度会较电极区稍暗。

另外,面板的亮度或穿透度与画素电极4狭缝之宽度尺寸强烈相关,所以当制程产生局部狭缝宽度变异时,画面会有局部亮度不均匀的现象产生网点(Mura)。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种改善液晶显示装置的亮度、视角特性和网点问题的阵列基板、液晶显示装置及阵列基板制作方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种阵列基板,包括多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极连接的第一画素电极,所述阵列基板还包括设在第一画素电极底层的相互绝缘的第二画素电极。

优选的,所述阵列基板包括共通线,所述第二画素电极位于所述第一画素电极和共通线之间,所述第一画素电极、第二画素电极、共通线之间相互绝缘。此为一种包括共通线的阵列基板的实施例。

优选的,所述第二画素电极在所述第一画素电极和所述共通线的叠交区域设有缺口,这样第一画素电极和共通线之间只有绝缘材质,没有金属材质的阻隔,两者之间形成的存储电容比较大,以保障在两个扫描周期的间隔内,存储电容的电量足够维持液晶偏转。

优选的,所述阵列基板设有多个向内凹陷的接触窗口,所述第一画素电极延伸入所述接触窗口内跟所述薄膜晶体管的漏极电气连接。此为一种第一画素电极跟薄膜晶体管的漏极连接的具体实施方式。

一种液晶显示装置,包括上述的一种阵列基板。

一种阵列基板的制造方法,包括以下步骤:

A:在玻璃基板上形成第一钝化层;

B:在所述阵列基板的第一钝化层上面依次形成第二画素电极、第二钝化层、第一画素电极。

优选的,在所述步骤A之前,先在玻璃基板上形成共通线。此为一种包括共通线的阵列基板的实施例。

优选的,所述步骤B中,形成所述第二画素电极的时候,在所述第一画素电极和共通线的叠交区域形成缺口,这样第一画素电极和共通线之间只有绝缘材质,没有金属材质的阻隔,两者之间形成的存储电容比较大,以保障在两个扫描周期的间隔内,存储电容的电量足够维持液晶偏转。

优选的,所述步骤B中,形成所述第二钝化层的时候,在所述第一画素电极和所述薄膜晶体管的漏极叠交区域留有缺口,在形成第一画素电极的时候同步形成接触窗口。此为一种第一画素电极跟薄膜晶体管的漏极连接的具体实施方式,不需要额外增加工序,有利于提升工作效率,降低成本。

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