[发明专利]铜填充硅通孔的制作方法有效
| 申请号： | 201110379852.2 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376641A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 填充 硅通孔 制作方法 | ||
1.一种铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅晶片表面形成硅通孔；
在上述结构表面沉积一层绝缘层；
接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；
将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5-600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；
采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；
去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；
研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜种子层。
2.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述硅通孔的直径为1-50微米，所述硅通孔的深度为10-500微米。
3.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述绝缘层的厚度为5-500埃。
4.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述阻挡层的厚度为5-500埃。
5.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述在硅通孔的底部形成铜种子层，化学反应方程式为：2Cu2++Si+6HF→2Cu+SiF62-+6H+。
6.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述在上述结构表面沉积一层绝缘层采用化学气相沉积工艺。
7.根据权利要求1所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层采用物理气相沉积工艺。
8.根据权利要求1或7所述的铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于：所述阻挡层的材料为Ta和/或TaN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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