[发明专利]一种铜酸镧(La2CuO4)薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110374928.2 申请日: 2011-11-23
公开(公告)号: CN102392304A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 黄剑锋;李意峰;侯艳超;曹丽云;吴建鹏 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B7/14;C23C26/00;B05C3/09
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜酸镧 la sub cuo 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种La2CuO4薄膜的制备方法,具体涉及一种紫外光-微波相结合制备La2CuO4薄膜的方法。

背景技术

随着高温超导研究的快速发展,尤其是液氮温度以上的超导体的发现,为超导体的广泛应用打开了方便之门,这也促使氧化物超导体薄膜物理和技术的飞速发展。就基础研究而言,在薄膜材料中,由于薄膜和基片之间晶格失配而在薄膜中产生应力(应变),而使薄膜材料的性质有别于体材料的性质。充分理解这些性能的物理含义对于揭示超导机理是十分必要的,在这一方面,由于La2CuO4体系结构和化学成份简单,可掺杂范围广,La2CuO4体系将是研究超导机理理想的材料。

同时,La2CuO4是类钙钛矿型(A2BO4)复合氧化物,它比ABO3型氧化物多了一个AO岩盐层。它的存在使层中的BO6八面体发生畸变,从而在较大的弹性范围内使结构稳定。由于其本身是一种非整比化合物,结构中可能存在着A位离子缺位和氧空位,使其具有气敏性,可以作为气体传感器,因而受到广泛的重视。

目前,关于制备La2CuO4薄膜的报道较少,汪春昌[Wang Chunchang.Oxygen Intercalation and Related Properties of La2CuO4Bulk Samples[D].北京:清华大学,2004.]采用脉冲激光沉积法(PLD),以LaAlO3为衬底,制备出La2CuO4薄膜,但这种方法设备要求高,工艺复杂,很难制备高质量的外延薄膜。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供了一种不仅制备成本低,而且操作简单、反应周期短的单一物相的铜酸镧(La2CuO4)薄膜的制备方法。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入60ml~100ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.3mol/L~0.6mol/L的透明溶液A;

2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O),使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1,并不断搅拌,然后向溶液中加入草酸,使草酸与阳离子总和的摩尔比为(0.5~3)∶1,最后加入1~8滴乙酰丙酮,搅拌均匀后静置5h~20h得溶液B;

3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中;将B溶液放在紫外光-微波仪中照射5h~20h后取出硅基片,将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中,在80℃~110℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。

本发明采用紫外光-微波相结合的方法制备La2CuO4薄膜,反应过程易于控制,并且设备要求低,操作简单,不需要煅烧处理,大大降低了能耗,可得到高质量的La2CuO4薄膜。另外由于本发明利用草酸为螯合剂在较低温度下制备不含杂质的La2CuO4薄膜。制得的La2CuO4薄膜晶粒尺寸较小,薄膜表面平整,并且不含杂质。反应周期短,重复性好,制备简单,操作方便,原料易得,制备成本较低。

附图说明

图1为实施例1所制备的La2CuO4薄膜的X-射线衍射(XRD)图谱。

图2为实施例1所制备的La2CuO4薄膜的金相显微(OM)照片。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1:

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