[发明专利]一种铜酸镧（La2CuO4）薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110374928.2 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102392304A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 黄剑锋;李意峰;侯艳超;曹丽云;吴建鹏 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B7/14;C23C26/00;B05C3/09 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜酸镧 la sub cuo 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜酸镧(La2CuO4)薄膜的制备方法，其特征在于：
1)将分析纯的硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)加入60ml～100ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La3+浓度为0.3mol/L～0.6mol/L的透明溶液A；
2)向A溶液中加入分析纯的硝酸铜(Cu(NO3)3·3H2O)，使得La3+与Cu2+的摩尔比为2∶1，并不断搅拌，然后向溶液中加入草酸，使草酸与阳离子总和的摩尔比为(0.5～3)∶1，最后加入1～8滴乙酰丙酮，搅拌均匀后静置5h～20h得溶液B；
3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中；将B溶液放在紫外光-微波仪中照射5h～20h后取出硅基片，将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中，在80℃～110℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。
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