[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有连续地形成在公共衬底之上的第一和第二堆叠，

其中移除所述第二堆叠之后剩余的所述第一堆叠包括场效应晶体管，

其中堆叠在所述第一堆叠之上的所述第二堆叠包括不同于上述场效应晶体管的器件，并且

其中包括所述场效应晶体管的所述第一堆叠包含：

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层定义用于形成在所述第一堆叠中的凹部的停止位置并且包括InGaP；

下化合物半导体层，所述下化合物半导体层被布置在栅电极之下并且包括AlGaAs，所述栅电极被布置在所述凹部中；以及

间隔层，所述间隔层插入在所述蚀刻停止层和所述下化合物半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔层插入在所述蚀刻停止层和所述下化合物半导体层之间，以便防止包含在所述蚀刻停止层中的磷热扩散到所述下化合物半导体层并且与所述下化合物半导体层的组成元素化学地结合。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中形成在所述第二堆叠中的不同器件是双极晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔层的厚度是0.5nm或者更多。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔层的厚度是2nm或者更多。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔层包括GaAs。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其具有所述蚀刻停止层作为第一蚀刻停止层，所述器件进一步包括：

第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层形成在所述第一蚀刻停止层之上；以及

栅电极，所述栅电极布置在根据所述第一和第二蚀刻停止层阶梯地形成的所述凹部中。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中杂质被添加到所述蚀刻停止层和所述间隔层中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

化合物半导体层，所述化合物半导体层形成在所述下化合物半导体层和所述间隔层之间并且包括与所述下化合物半导体层相同的材料，

其中杂质被添加到所述化合物半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

盖帽堆叠，所述盖帽堆叠形成在所述蚀刻停止层之上，

其中所述盖帽堆叠包含在上化合物半导体层和下化合物半导体层之间具有相对高的电阻的中间层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中杂质被添加到所述下化合物半导体层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件包括：

包括未掺杂的InGaAs层的沟道层和被布置在所述沟道层之上和之下以夹持所述沟道层的一组电子供给层。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件包括：

沟道层，所述沟道层包括未掺杂的InGaAs层；以及

掺杂结构，其中在与所述沟道层的上表面隔开的位置处以片状添加杂质并且在与所述沟道层的下表面隔开的位置处以片的形式添加杂质。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其具有场效应晶体管作为第一场效应晶体管、所述蚀刻停止层作为第一蚀刻停止层、所述下化合物半导体层作为第一化合物半导体层、以及所述间隔层作为第一间隔层，

其中所述第一堆叠进一步包括具有与所述第一场效应晶体管的阈值电压不同的阈值电压的第二场效应晶体管，并且

其中所述第一堆叠包括：

第二蚀刻停止层，所述第二蚀刻停止层定义凹部的停止位置并且包括InGaP，在所述凹部处要布置所述第二场效应晶体管的栅电极；

第二下化合物半导体层，所述第二下化合物半导体层被布置在所述第二场效应晶体管的栅电极之下并且包括AlGaAs；以及

第二间隔层，所述第二间隔层插入在所述第二蚀刻停止层和所述第二下化合物半导体层之间，并且防止包含在所述第二蚀刻停止层中的磷(P)热扩散到所述第二下化合物半导体层并且与所述第二下化合物半导体层的组成元素化学地结合。