[发明专利]一种鳍式场效应管及其基体在审
| 申请号： | 201110363775.1 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103117305A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 及其 基体 | ||
1.一种鳍式场效应管FinFET基体，该基体为翅片结构，包括其中间延伸有沟道区域的源极区域和漏极区域，其特征在于，该基体为多层应力硅层。
2.如权利要求1所述的基体，其特征在于，所述多层应力硅层至下而上包括单晶硅层、硅锗层和/或硅碳层。
3.如权利要求1所述的基体，其特征在于，所述多层应力硅层至下而上包括单晶硅层、硅碳层和硅锗层。
4.如权利要求2或3所述的基体，其特征在于，所述硅碳层和硅锗层为外延层或者离子注入层。
5.如权利要求4所述的基体，其特征在于，所述硅锗层的锗含量为5％～35％；所述硅碳层的碳含量为3％～15％。
6.如权利要求5所述的基体，其特征在于，所述多层应力硅层的顶层进一步包括顶层单晶硅层。
7.如权利要求6所述的基体，其特征在于，所述顶层单晶硅层的厚度为5nm～50nm。
8.如权利要求1所述的基体，其特征在于，其中每个翅片为漏斗状，每个漏斗包括头部和尾部，其尾部延伸连接构成沟道区域。
9.一种鳍式场效应管FinFET，其特征在于，包括位于衬底上的如权利要求1至8任一项所述的FinFET基体和栅极结构；其中，所述栅极结构围绕翅片结构中间的沟道区域表面，该表面包括沟道区域的侧壁和顶部。
10.如权利要求9所述的FinFET，其特征在于，所述FinFET为多个，其中，每个FinFET的翅片结构平行排列，每个栅极结构相互连接成一条直线。
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