[发明专利]SiC半导体晶片的标刻方法以及SiC半导体晶片

权利要求书

1.一种SiC半导体晶片的标刻方法，其特征在于，具备：

准备SiC半导体晶片（100）的工序；以及

标刻工序，通过一边从激光头向所述SiC半导体晶片照射激光，一边使所述激光头相对于所述SiC半导体晶片移动，从而在所述SiC半导体晶片的表面刻印由所述激光的照射痕（1）构成的规定图案，

所述激光是使用了YAG激光的4次谐波的脉冲激光，

在所述标刻工序中，所述激光头以所述脉冲激光的连续的脉冲的照射痕（1）不重叠的速度、并且在不对先形成的所述照射痕（1）重叠地照射所述脉冲激光的轨道中移动。

2.根据权利要求1所述的SiC半导体晶片的标刻方法，其中，

所述规定图案是互相不重叠的点（10）的集合体，

所述标刻工序包含：

第1标刻工序，通过互相不重叠的多个所述照射痕（1）来描绘1个点（10）；以及

第2标刻工序，通过反复进行所述第1标刻工序，从而描绘由多个点（10）构成的所述规定图案。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的SiC半导体晶片的标刻方法，其中，还包含：通过调整所述激光头的移动速度以及所述脉冲激光的调Q频率的至少一方，从而设定连续形成的所述照射痕（1）的中心间的距离（d2）的工序。

4.根据权利要求3所述的SiC半导体晶片的标刻方法，其中，连续形成的所述照射痕（1）的中心间的距离（d2）以成为该照射痕（1）的直径（d1）的2倍以上的方式设定。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的SiC半导体晶片的标刻方法，其中，所述脉冲激光的每1个脉冲的能量为5~10μJ。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的SiC半导体晶片的标刻方法，其中，所述照射痕（1）的深度为0.1~0.7μm。

7.一种SiC半导体晶片（100），在表面刻印有由激光的照射痕（1）构成的规定图案，其特征在于，

所述规定图案通过互相不重叠的深度0.1~0.7μm的所述照射痕（1）的集合体构成。

8.根据权利要求7所述的SiC半导体晶片，其中，

所述规定图案是互相不重叠的点（10）的集合体，

所述点（10）分别是所述照射痕（1）的集合体。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的SiC半导体晶片，其中，

邻接的所述照射痕（1）的中心间的距离（d2）为该照射痕（1）的直径（d1）的2倍以上。