[发明专利]一种太阳能电池制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，更具体的说是涉及一种太阳能电池制 作方法。

背景技术

太阳能电池是是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的 装置，其通常以硅片为载体，制作材料主要以半导体材料为基础。

太阳能电池制作工艺通常包括制作PN结、正电极、背电极以及背电场等 操作，PN结是指通过掺杂工艺，将P(Positive，带正电的)型半导体和N (Negative，带负电的)型半导体制作在同一半导体基片上时，在交界面所形 成的空间电荷区，太阳光照在PN结上时，即形成空穴-电子对，电子由P型区 流向N型区，即形成电流。背电场是指通过在太阳能电池中增加一浓掺杂层， 形成的内建电场，通过背电场可以提高太阳能电池的转换效率。

现有的一种太阳能电池制作方法中，以选择P型半导体作为硅片衬底为 例，首先通过磷扩散使P型半导体一面变成N型，形成PN结；然后经过刻蚀、 镀膜等操作后，先在硅片衬底背面，也即P型层一面，丝网印刷背电极，然后 在丝网印刷背电场，之后硅片衬底正面再丝网印刷正电极；最后经过高温烧 结即形成背电场、背电极以及正电极。现有方法中，背电场是通过铝浆印刷 烧结形成的，工艺虽然简单，但是采用铝浆印刷的方式，由于铝浆的存在， 增加了串联电阻，且容易导致漏电流增加，使得并联电阻减少，因此会降低 太阳能电池的效率，降低了电池的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池制作方法，用以解决现有技术中 采用铝浆印刷背电场，导致太阳能电池效率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池制作方法，包括：

将制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二 表面进行磷扩散；

在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底 进行磷扩散的一面制作第二电极。

优选地，所述硅片衬底具体为P型硅片，则所述将制绒后的硅片衬底的 第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场；

将形成背电场的P型硅片的第二表面抛光，进行磷扩散，形成PN结；

则所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能 电池正电极。

优选地，所述将制绒后的P型硅片第一表面抛光，进行硼扩散具体为：

将制绒后的P型硅片第一表面抛光，并进行烘片；

在所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙；

按照预设的扩散参数值，进行扩散，形成背电场，所述扩散参数包括温 度、时间以及通氧量。

优选地，所述扩散温度为1100摄氏度，扩散时间为2小时，通氧量为3 升每分钟。

优选地，所述烘焙温度为80摄氏度～85摄氏度，烘焙时间为25秒。

优选地，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在 所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极之前还包括：

将扩散后的硅片进行边缘刻蚀，并将硅片沉积减反射膜。

优选地，所述在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在 所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第二电极包括：

在所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片 衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极；

将丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。

优选地，所述硅片衬底具体为P型硅片，则所述将制绒后的硅片衬底第 一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的P型硅片第二表面抛光，并进行磷扩散，形成PN结；

将形成PN结的P型硅片上的第一表面抛光，进行硼扩散，形成背电场；

则所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能 电池正电极。

优选地，所述硅片衬底具体为N型硅片，则所述将制绒后的硅片衬底第 一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的N型硅片第二表面抛光，进行磷扩散，形成背电场；

将形成背电场的N型硅片的第一表面抛光，进行硼扩散，形成PN结；