[发明专利]一种太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：

将制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应的第二 表面进行磷扩散；

在所述硅片衬底进行硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底 进行磷扩散的一面制作第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片衬底具体为P型 硅片，则所述将制绒后的硅片衬底的第一表面进行硼扩散，与所第一表面对 应的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的P型硅片的第一表面抛光，并进行硼扩散，形成背电场；

将形成背电场的P型硅片的第二表面抛光，进行磷扩散，形成PN结；

则所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能 电池正电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将制绒后的P型硅片 第一表面抛光，进行硼扩散具体为：

将制绒后的P型硅片第一表面抛光，并进行烘片；

在所述P型硅片抛光面上涂覆硼扩乳胶源，并进行烘焙；

按照预设的扩散参数值，进行扩散，形成背电场，所述扩散参数包括温 度、时间以及通氧量。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述扩散温度为1100摄 氏度，扩散时间为2小时，通氧量为3升每分钟。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述烘焙温度为80摄氏 度～85摄氏度，烘焙时间为25秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅片衬底进行 硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第 二电极之前还包括：

将扩散后的硅片进行边缘刻蚀，并将硅片沉积减反射膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅片衬底进行 硼扩散的一面制作第一电极，以及在所述硅片衬底进行磷扩散的一面制作第 二电极包括：

在所述硅片衬底进行硼扩散的一面丝网印刷第一电极，以及在所述硅片 衬底进行磷扩散的一面丝网印刷第二电极；

将丝网印刷第一电极以及第二电极后的硅片衬底进行烧结。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片衬底具体为P型 硅片，则所述将制绒后的硅片衬底第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应 的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的P型硅片第二表面抛光，并进行磷扩散，形成PN结；

将形成PN结的P型硅片上的第一表面抛光，进行硼扩散，形成背电场；

则所述第一电极具体为太阳能电池负电极，所述第二电极具体为太阳能 电池正电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片衬底具体为N型 硅片，则所述将制绒后的硅片衬底第一表面进行硼扩散，与所第一表面对应 的第二表面进行磷扩散包括：

将制绒后的N型硅片第二表面抛光，进行磷扩散，形成背电场；

将形成背电场的N型硅片的第一表面抛光，进行硼扩散，形成PN结；

则所述第一电极具体为太阳能电池正电极，所述第二电极为太阳能电池 负电极。

10.根据权利要求1所述，其特征在于，所述硅片衬底具体为N型硅片， 则所述在制绒后的硅片衬底第一表面进行磷扩散，与所第一表面对应的第二 表面进行硼扩散包括：

将制绒后的N型硅片第一表面抛光，进行硼扩散，形成PN结；

将形成PN结的N型硅片的第二表面抛光，进行磷扩散，形成背电场；

则所述第一电极具体为太阳能电池正电极，所述第二电极为太阳能电池 负电极。