[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201110355087.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102456797A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 沈炫旭;李东柱;金晟泰 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
半导体光发射层叠体，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和位于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及
高导电性透明电极，其形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的至少一个上，并且包括由透明导电氧化物层和透明导电氮化物层中的至少一个形成的透明电极层和允许可见光谱内的光透过的石墨烯层，所述透明电极层和所述石墨烯层是层叠的。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述透明电极层形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的至少一个上，并且所述石墨烯层形成在所述透明电极层上。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述石墨烯层形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的至少一个上，并且所述透明电极层形成在所述石墨烯层上。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述石墨烯层介于所述透明电极层之间。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述透明电极层和所述石墨烯层分别设置为多个透明电极层和多个石墨烯层，并且所述高导电性透明电极具有其中所述多个透明电极层和所述多个石墨烯层交替地层叠的结构。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述透明导电氧化物层由选自以下物质构成的组中的至少一种构成：氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化镁、氧化镉、氧化镁锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铜铝、氧化银、氧化镓、氧化锌锡和氧化锌铟锡。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述透明导电氮化物层由选自以下物质构成的组中的至少一种构成：氮化钛、氮化铬、氮化钨、氮化钽和氮化铌。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体光发射层叠体由AlxInyGa(1-x-y)AlN层形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
9.根据权利要求1所述的器件，还包括：形成在所述透明电极层和所述至少一个导电半导体层之间的欧姆接触层。
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