[发明专利]一种光刻胶去除方法及半导体生产方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，该方法是在离子注入工艺之后，对表面形成硬质层的光刻胶进行去除，其特征在于包括步骤：

1)软化工艺，利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗；

2)干法去胶工艺，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；

3)湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶。

2.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述去离子水的温度为55℃-65℃。

3.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述软化工艺的持续时间为9-10分钟。

4.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述干法去胶工艺使用的等离子体由微波、射频和臭氧源共同作用产生。

5.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述湿法去胶工艺使用的清洗液为硫酸和氧化剂溶液。

6.一种半导体生产方法，其特征在于包括步骤：

1)提供一半导体衬底，在该半导体衬底上线后形成氧化层和光刻胶层；

2)对光刻胶层进行图形化工艺，在光刻胶表面形成用以进行离子注入工艺的图形；

3)离子注入工艺，以上述图形化工艺之后的光刻胶为掩模进行离子注入，使部分半导体衬底形成埋层区；

4)去除氧化层工艺，采用缓冲氧化物刻蚀技术将覆盖在埋层区上的氧化层去除；

5)光刻胶去除工艺，所述光刻胶去除工艺包括：

5.1、软化工艺，利用去离子水对光刻胶表面的硬质层进行快速冲洗；

5.2、干法去胶工艺，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化之后的硬质层和部分光刻胶；

5.3、湿法去胶工艺，利用清洗液去除剩余光刻胶；

6)栅氧制作工艺，在去除完光刻胶之后的氧化层上，继续制作新的氧化层，以形成栅氧；以及

7)栅极制作工艺，在栅氧上制作多晶硅层，形成栅极。