[发明专利]电子束写入系统以及电子束写入的方法有效
申请号: | 201110352647.7 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN102683182A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 王文娟;林世杰;许照荣;林本坚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01J37/317 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 写入 系统 以及 方法 | ||
1.一种电子束写入方法,适用于一介质,包括:
配置上述介质在一电子束写入装置中,以使得上述介质由一平台所支撑,且曝光于一电子束源之下;以及
通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束,写入一图形至上述介质中,其中上述图形包括多个书写带,以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。
2.如权利要求1所述的电子束写入方法,其中上述书写带并非通过线步的方式分离。
3.如权利要求1所述的电子束写入方法,其中每一上述独立控制电子束包括一高斯电子束,以及其中上述高斯电子束施用于产生一锯齿状结构。
4.如权利要求1所述的电子束写入方法,其中每一上述独立控制电子束包括具有多个非独立子电子束的一图形电子束。
5.如权利要求44所述的电子束写入方法,其中上述独立控制电子束发生重叠是根据一彼此相关的偏移,该偏移大于或等于一像素,以及根据扫描的一方向所产生的一角度偏移。
6.如权利要求5所述的电子束写入方法,其中上述独立控制电子束发生重叠,使得在上述介质的上述独立控制电子束的一投影产生一配置,其中通过不同上述独立控制电子束之一写入相邻的像素。
7.如权利要求1所述的电子束写入方法,其中上述独立控制电子束的施用通过电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动或至少二者之一。
8.一种电子束写入系统,包括:
一平台,用以设置一介质;
一写入装置,用以写入配置在上述平台上方的上述介质,上述写入装置包括一电子束源用以产生N个独立控制电子束,其中N为一大于1的整数;以及
一电脑控制系统,用以:
写入一图形至上述介质上的平行多个书写带,其中每一上述书写带是通过使用上述N个独立控制电子束中的多个电子束来写入。
9.如权利要求8所述的电子束写入系统,其中上述独立控制电子束包括,多个高斯电子束,以及其中上述电脑控制系统根据x方向和y方向的移动通过上述高斯电子束完成写入的动作。
10.如权利要求8所述的电子束写入系统,其中每一上述独立控制电子束包括,多个子电子束组成的一MxM阵列,其中M为一大于1的整数,上述子电子束为非独立控制。
11.如权利要求10所述的电子束写入系统,其中上述电脑控制系统写入至上述介质是通过重叠具有一彼此相关的偏移和根据一扫描方向所产生的一角度偏移的上述N个独立控制电子束,以使得随着垂直于上述扫描方向的一线段产生的N个独立控制电子束的一投影,具有来自不同独立控制电子束之一的邻近像素。
12.如权利要求8所述的电子束写入系统,其中上述独立控制电子束的施用通过电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动或至少二者之一。
13.一种电子束写入方法,适用于一介质,包括:
配置一电子束源,通过使用N个独立控制电子束以写入在上述介质上的多个书写带中;
通过使用多个上述N个独立控制电子束中的多个电子束写入每一上述书写带中,且通过使用上述N个独立控制电子束组成的一单一子集合写入每一上述书写带中,用以平均个别上述独立控制电子束间的偏移。
14.如权利要求13所述的电子束写入方法,其中每一上述独立控制电子束包括一高斯电子束。
15.如权利要求14所述的电子束写入方法,其中每一上述独立控制电子束通过使用至少电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动之一,在每一上述书写带写入一锯齿状轨迹。
16.如权利要求13所述的电子束写入方法,其中每一上述独立控制电子束包括,具有MxM个非独立的多个子电子束构成的一阵列的一图形电子束,重叠具有一彼此相关的偏移和根据一扫描方向所产生的一角度偏移的上述独立控制电子束,以使得在上述介质上随着垂直于上述扫描方向的一线段产生的独立控制电子束的一投影,具有一图像,其中上述图像的邻近像素是来自不同独立控制电子束之一。
17.如权利要求13所述的电子束写入方法,其中上述独立控制电子束的一移动是使用直线扫描,以及其中上述独立控制电子束是同步施用于每一上述书写带中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造