[发明专利]单晶硅生长炉的石墨坩埚

说明书

技术领域

本发明涉及单晶硅生长设备，尤其涉及单晶硅生长炉的石墨坩埚。

背景技术

传统的太阳能单晶硅生长炉的石墨坩埚基本选用单瓣式的，单瓣式石墨坩埚的坩埚底部保温较差，坩埚内部盛装的硅料熔体上下温差较大，最终导致单晶硅生产中的氧含量提高，降低了单晶硅的生产质量。因此，应该提供一些新的技术方案解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是：针对上述不足，提供一种能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率高，加热迅速的单晶硅生长炉的石墨坩埚。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：单晶硅生长炉的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。

所述连接件为两头弯曲的金属卡线。

本发明单晶硅生长炉的石墨坩埚，坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片组成，相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接。由于单晶硅生长炉需要经常开炉和停炉，在温度急剧变化的恶劣工况下，石墨坩埚在使用一段时间后容易产生开裂，所以坩埚片的顶部通过连接件连接，对石墨坩埚起到有效的保护作用。在坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台，凸台的设置增加了石墨坩埚外表面积，也增加了石墨坩埚的传热面积，达到加大传输量，快速加热的目的。

本发明的优点是：能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率高，加热迅速。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细叙述。

图1为本发明结构示意图。

其中：1、坩埚本体，2、坩埚片，3、坩埚托盘，4、连接件，5、凸台。

具体实施方式

如图1所示，本发明单晶硅生长炉的石墨坩埚，包括坩埚本体1，坩埚本体1由大小相同的至少三瓣坩埚片2和一个坩埚托盘3组成，相邻的坩埚片2的顶部通过连接件4连接，坩埚本体1外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台5，连接件4为两头弯曲的金属卡线。

坩埚片2的顶部通过连接件4连接，对石墨坩埚起到有效的保护作用。在坩埚本体1外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台5，凸台5的设置增加了石墨坩埚外表面积，也增加了石墨坩埚的传热面积，达到加大传输量，快速加热的目的。