[发明专利]有机硅树脂、密封材料和光半导体装置无效
| 申请号: | 201110344063.5 | 申请日: | 2011-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN102532552A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 藤井春华;片山博之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | C08G77/44 | 分类号: | C08G77/44;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 硅树脂 密封材料 半导体 装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机硅树脂、密封材料和光半导体装置,更具体地涉及有机硅树脂、由该有机硅树脂形成的密封材料以及使用该密封材料的光半导体装置。
背景技术
目前,作为发光二极管(LED)等光半导体元件的密封材料,使用透明性优异的有机硅树脂。这种有机硅树脂在室温下为液体状,在光半导体元件上涂布之后,通过加热而固化,从而将光半导体元件密封。
另外,从保存性和处理性的观点考虑,还使用在室温下为固体状的有机硅树脂。作为这种固体状的有机硅树脂,例如提出了由五环[9.5.1.13.9.15.15.17.13]八硅氧烷与1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷反应而得到的含硅倍半氧烷聚合物(例如参照日本特开2000-154252号公报)。
另外,提出了氢化八聚倍半硅氧烷与二硅烷醇反应而得到的聚硅氧烷(例如参照日本特开2002-69191号公报)。
日本特开2000-154252号公报和日本特开2002-69191号公报中提出的密封材料通过加热而塑化,将光半导体元件密封。
发明内容
然而,从提高耐热性和耐久性的观点出发,存在通过加热而使固体状的有机硅树脂塑化之后想要使其固化的要求。然而,日本特开2000-154252号公报和日本特开2002-69191号公报的密封材料具有不能固化这样的不利情况。
本发明的目的在于提供透明性和耐热性优异,同时兼有热塑性和热固性的有机硅树脂、由该有机硅树脂形成的密封材料以及使用该密封材料的光半导体装置。
本发明的有机硅树脂的特征在于,其是在硅氢化催化剂的存在下让具有下述式(1)所示的基团的笼型八聚倍半硅氧烷与含有摩尔数比上述笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的摩尔数少的烯基的含烯基聚硅氧烷反应而得到的。
[化学式1]
(式中,R1表示一价烃基,R2表示氢或一价烃基,其中,按所述笼型八聚倍半硅氧烷总体的平均值计,R2的一价烃基∶氢的摩尔比为6.5∶1.5~5.5∶2.5的范围。)
另外,适宜的是,在本发明的有机硅树脂中,上述笼型八聚倍半硅氧烷用下述式(2)表示。
[化学式2]
(式中,R1和R2含义同前。另外,R2的一价烃基∶氢的摩尔比范围同前。)
另外,适宜的是,在本发明的有机硅树脂中,上述含烯基聚硅氧烷优选用下述式(3)表示。
[化学式3]
(式中,R3表示一价烃基,R4表示烯基。另外,a表示1以上的整数。)
另外,本发明的密封材料的特征在于,其用于密封光半导体元件,且是由上述有机硅树脂形成的。
另外,本发明的光半导体装置的特征在于,其包括:光半导体元件、和密封所述光半导体元件的上述密封材料。
本发明的有机硅树脂由于R2的一价烃基∶氢的摩尔比为特定范围,因此,在笼型八聚倍半硅氧烷中,与含烯基聚硅氧烷的烯基反应的氢化硅烷基的比例得到调整。而且,含烯基聚硅氧烷以其烯基的摩尔数比笼型八聚倍半硅氧烷的氢化硅烷基的摩尔数少的方式进行反应。因此,所得有机硅树脂可以兼有热塑性和热固性。此外,有机硅树脂还具有优异的透明性和耐热性。
因此,由于本发明的密封材料由上述有机硅树脂形成,因此,密封时通过加热塑化,然后使其固化,从而将光半导体元件密封。
因此,由于本发明的光半导体装置的光半导体元件通过上述密封材料密封,从而具有优异的光学特性和耐热性,同时具有优异的机械强度和耐久性。
具体实施方式
本发明的有机硅树脂是通过在硅氢化催化剂的存在下让笼型八聚倍半硅氧烷与含烯基聚硅氧烷反应而得到的。
笼型八聚倍半硅氧烷是三官能硅氧烷(silicone)单体的八聚体,具体而言,具有8个下述式(1)所示的基团,
[化学式4]
式中,R1表示一价烃基,R2表示氢或一价烃基,其中,按笼型八聚倍半硅氧烷总体的平均值计,R2的一价烃基∶氢的摩尔比为6.5∶1.5~5.5∶2.5的范围。更具体而言,用下述式(2)表示。
[化学式5]
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