[发明专利]全局对准标记以及全局对准方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种全局对准标记以及全局对准方法。

背景技术

全局对准标记(Global alignment mark)主要用于Nikon曝光机台的粗对准，帮助定位精对准所需标记的位置。图1示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记。

全局对准标记通常需要三根信号源，这些信号皆由设计的三根图形(对准标记)产生。因此，如图1所示，在现有技术中，在密封圈中布置了三个线形对准标记1、2、3。密封圈主要位于电路版图外圈，是一种挖下去的沟槽，用于阻挡水汽进入电气电路，从而保护器件。图1中的标号A和B示出了密封圈的两个侧壁，例如称为第一侧壁A和第二侧壁B。

并且，图2示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记的局部放大图。如图2所示，密封圈的第一侧壁A和第二侧壁B之间布置了三个相互平行的线形对准标记1、2、3。其中，对准标记1与第一侧壁A之间的距离为a，对准标记1与对准标记2之间的距离为b，对准标记2与对准标记3之间的距离为b，对准标记4与第一侧壁B之间的距离为d。例如，a＝5um，b＝19um，c＝13um，d＝5um。

因此，图1所示的根据现有技术的全局对准标记所占用的横向尺寸至少为a+b+c+d，并且更具体地说，根据现有技术的全局对准标记所占用的横向尺寸一般不小于50um。该横向尺寸较大，会占用较大的切割道面积，从而减少了晶圆中实际可获得的有效芯片数量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够减少切割道尺寸的全局对准标记以及全局对准方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种全局对准标记，其包括：布置在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间的单个对准标记，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记，并且所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁被用作全局对准标记所需的三根信号源。

根据本发明的第二方面，提供了一种全局对准方法，其包括：在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间布置单个对准标记，并且将所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记，并且将所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁用作全局对准标记所需的三根信号源。

根据本发明，利用第一侧壁和第二侧壁代替现有技术的两根信号源(对准标记)来用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根，从而可以减小全局对准标记所占用的横向尺寸，能够减少切割道尺寸。并且，根据本发明的全局对准标记能减少错误的信号，这是因为通常密封圈或电路外围也会产生信号，从而会导致正常的3根信号源变为5根信号源。将原有的第一信号源、第三信号源用密封圈代替则确保了只有3根信号源，从而避免误识别。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记。

图2示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记的局部放大图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的局部放大图。

图5示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的信号仿真图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记。如图3所示，根据本发明实施例的全局对准标记仅仅在密封圈的第一侧壁A和第二侧壁B之间布置单个对准标记4。在本实施例中，第一侧壁A和第二侧壁B也用作对准标记，第一侧壁A和第二侧壁B用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根，即第一侧壁A、单个对准标记4和第二侧壁B被用作全局对准标记所需的三根信号源。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的局部放大图。如图4所示，在本发明实施例的全局对准标记中，原来全局对准标记所占用的总的横向尺寸“a+b+c+d”变为仅仅只有“b+c”。