[发明专利]一种半导体致冷器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型的制造方法，尤其涉及一种半导体致冷器件的制造方法。

背景技术

半导体致冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I成正比。

现如今大多数的厂家在生产半导体致冷器件的生产效率较低，废品较多，产品不美观且性能不佳。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足和缺点，本发明提供了一种半导体致冷器件的制造方法。

一种半导体致冷器件的制造方法，其特征在于：包括下述步骤：

（1）将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；

（2）喷好镍后将晶片再镀一层镍和一层锡，然后再将晶片切割成粒；

（3）将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；

（4）将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。

优选地，所述步骤1中的熔焊温度为1000～1100℃。

优选地，所述步骤3中的熔焊温度为700～750℃。

本发明的有益效果在于：

1、将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高；

2、 在半导体致冷元件外侧设有一圈密封胶带，然后在密封胶带外侧用环氧树脂密封，有效防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。

3、步骤1中晶片需先进行喷镍，增加喷镍工艺后使得晶粒牢固焊于陶瓷片上不容易脱落。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围并不限于此。

实施例1

一种半导体致冷器件的制造方法，其特征在于：包括下述步骤：

（1）将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；

（2）喷好镍后将晶片再镀一层镍和一层锡，然后再将晶片切割成粒；

（3）将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；

（4）将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。所述步骤1中的熔焊温度为1000～1100℃。所述步骤3中的熔焊温度为700～750℃。