[发明专利]一种半导体致冷器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110337469.0 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102339947A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈国华 | 申请（专利权）人： | 杭州澳凌制冷设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 陈辉 |
| 地址： | 310015 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 致冷 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体致冷器件的制造方法，其特征在于：包括下述步骤：
将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；
喷好镍后将晶片再镀一层镍和一层锡，然后再将晶片切割成粒；
将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；
将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。
2.根据权利要求1所述半导体致冷器件的制造方法，其特征在于：所述步骤1中的熔焊温度为1000～1100℃。
3.根据权利要求1所述半导体致冷器件的制造方法，其特征在于：所述步骤3中的熔焊温度为700～750℃。
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