[发明专利]一种LED封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种LED封装结构，该封装结构包括依次层叠的LED芯片(70)、衬底(10)以及散热基板(120)，所述衬底(70)中具有贯穿所述衬底(70)的硅通孔(20)，所述衬底(10)的两侧上分别具有与所述硅通孔(20)互连的布线层(60，90)，所述散热基板(120)的位于所述衬底(10)下方的部分具有与所述衬底(10)连接的突出部，并且该突出部的尺寸小于所述衬底(10)的尺寸，所述散热基板(120)的非所述突出部部分上布置有引出电路(130)，所述LED芯片(70)与所述衬底(10)通过倒装方式互连，所述LED芯片(70)与所述衬底(10)的组合也通过倒装方式与所述引出电路(130)互连，并且通过所述衬底(10)中的硅通孔(20)将所述LED芯片(70)的信号输出给所述引出电路(130)。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装结构还包括位于所述引出电路(130)上的环绕所述LED芯片(70)的、表面上覆有反射层(160)的反射杯(140)。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述突出部与所述衬底(10)之间具有散热层(110)。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述硅通孔(20)的直径位于10微米到100微米的范围内，所述硅通孔(20)的深度位于100微米到300微米的范围内。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述硅通孔(20)位于所述LED芯片(70)工作时的热点区附近。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述散热基板(120)为Cu基板、氮化铝基板、氧化铝基板或者氧化铍基板。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装结构还具有与所述散热基板(120)的不具有所述引出电路(130)的一侧连接的热沉层(150)。

8.一种LED封装方法，该方法包括：

提供衬底并在所述衬底上形成硅通孔；

在所述衬底的一侧上形成布线层并通过倒装键合工艺将LED芯片与所述衬底的形成布线层的一侧互连；

在所述衬底的另一侧上形成布线层；

将带有引出电路的散热基板与所述另一侧通过倒装的方式进行互连，其中所述散热基板的位于所述衬底下方的部分具有与所述衬底连接的突出部，并且该突出部的尺寸小于所述衬底的尺寸，所述散热基板的非所述突出部部分上布置有引出电路。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其中，所述封装方法还包括：在所述引出电路上形成环绕所述LED芯片的反射杯。

10.根据权利要求8所述的封装方法，其中，在所述衬底的另一侧上形成布线层之后还包括：

在所述另一侧上的布线层上形成钝化层；

在所述钝化层上形成散热层。

11.根据权利要求8所述的封装方法，其中，所述硅通孔的直径位于10微米到100微米的范围内，所述硅通孔的深度位于100微米到300微米的范围内。

12.根据权利要求8所述的封装方法，其中，所述硅通孔位于所述LED芯片工作时的热点区附近。

13.根据权利要求8所述的封装方法，其中，所述散热基板为Cu基板、氮化铝基板、氧化铝基板或者氧化铍基板。

14.根据权利要求8所述的封装方法，其中，所述封装方法还包括：在与所述散热基板的不具有所述引出电路的一侧上形成热沉层。