[发明专利]轧制铜箔及轧制铜箔的制造方法无效
| 申请号: | 201110327711.6 | 申请日: | 2011-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN102453812A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 佐川英之;鹫见亨;黑田洋光;青山正义 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
| 主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22F1/08;B21B1/40 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 轧制 铜箔 制造 方法 | ||
1.一种轧制铜箔,在含有不可避免的杂质的纯铜中含有超过2质量ppm的量的氧、和选自由Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti和Cr所组成的组中的添加元素。
2.如权利要求1所述的轧制铜箔,所述添加元素为Ti,并且所述轧制铜箔由含有2质量ppm以上12质量ppm以下的硫、超过2质量ppm且为30质量ppm以下的氧、和4质量ppm以上55质量ppm以下的钛的软质低浓度铜合金材料构成。
3.如权利要求2所述的轧制铜箔,半软化温度在厚度0.8mm的尺寸时为148℃以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的轧制铜箔,加工前的结晶组织具有从其表面向内部直至50μm的深度的平均晶粒尺寸为20μm以下的表层。
5.一种轧制铜箔的制造方法,具备下述工序:
利用SCR连续铸造轧制,在1100℃以上1320℃以下的铸造温度下将在含有不可避免的杂质的纯铜中含有超过2质量ppm的量的氧、和选自由Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti和Cr所组成的组中的添加元素的低浓度铜合金材料制成熔液,并由所述熔液制作铜材的工序;
对所述铜材实施热轧加工从而制作铸造材料的工序;和
对所述铸造材料实施冷轧加工从而制作轧制铜箔的工序。
6.如权利要求5所述的轧制铜箔的制造方法,
所述添加元素为Ti,
所述低浓度铜合金材料含有2质量ppm以上12质量ppm以下的硫、超过2质量ppm且为30质量ppm以下的氧、和4质量ppm以上55质量ppm以下的钛。
7.如权利要求6所述的轧制铜箔的制造方法,所述热轧加工通过将最初的轧辊处的温度控制在880℃以下、将最终的轧辊处的温度控制在550℃以上来实施。
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