[发明专利]用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110325521.0 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102403459A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;鞠晨;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 掺杂 铋碲基 存储 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于相变随机存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料，其组分表达式为BixTeySi100-(x+y)，其中0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。
2.根据权利要求1所述的硅掺杂的铋碲基存储材料，其特征在于，其为电阻会在外部能量的作用下发生高阻和低阻之间的可逆转换的存储材料，电阻变化幅度在一个数量级以上。
3.一种制备权利要求1所述的硅掺杂的铋碲基存储材料的方法，具体为：
1)制备BixTey合金靶；
2)对BixTey合金靶上贴置Si片；
3)以Ar作为溅射气体对贴置Si片后的合金靶进行溅射，制备得到硅掺杂的铋碲基存储存储材料。
4.根据权利要求3所述的硅掺杂的铋碲基存储材料的方法，其特征在于，溅射功率为0～60W，溅射Ar气压为0.78～0.82Pa。
5.根据权利要求3所述的硅掺杂的铋碲基存储材料的方法，其特征在于，溅射功率为50W，溅射Ar气压为0.8Pa。
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