[发明专利]解封集成电路封装体的方法

说明书

技术领域

本发明与一种解封集成电路封装体的方法有关。更特定来说，本发明关于一种解封集成电路封装体的方法，而暴露出其中的目标集成电路，同时又不会实质上伤害目标集成电路。

背景技术

在集成电路制造完成之后，需要将集成电路封装以避免外界环境的伤害。一但集成电路芯片或是晶粒被模塑材料或是封装材料封装起来而成为集成电路封装体后，就很难再次打开封装材料又不伤害里面的目标集成电路。

图1绘示出一种移除公知封装体，以暴露出其中的目标集成电路的方法。如图1所绘示，整个集成电路封装体10浸泡在腐蚀溶液20中，其通常为一种强酸，而刻蚀有机封装材料11，而暴露出其中的集成电路12，例如互连组件。然而，一但集成电路暴露出来之后，就几乎不太可能再淬熄刻蚀反应，所以集成电路12就几乎一定会严重地受到伤害。

另一种方法则是将腐蚀溶液20放在集成电路封装体10的上面，来刻蚀有机封装材料11。为了避免不必要的副反应，通常使用屏蔽13来覆盖集成电路封装体10的周边区域，所以只有集成电路封装体10暴露出来的区域会被刻蚀。尽管有掩膜13的保护，仍然会发生不良的侧刻蚀，所以其中的集成电路12还是会受到伤害。当受损的集成电路12接受后续的测试时，例如电路编写或是修复步骤时，受损的集成电路12则是一点用也没有。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种解封集成电路封装体的新颖方法，而打开封装材料的时候不需要使用掩膜。本发明方法可以移除外部的有机封装材料，暴露出其中的集成电路，同时又不会实质上伤害集成电路。首先，提供一集成电路封装体。集成电路封装体包含至少一电路与包围电路的一封装材料。其次，提供一腐蚀溶液。腐蚀溶液得以刻蚀封装材料，并间歇地接触封装材料的一预定区域，而刻蚀封装材料。因此，腐蚀溶液会从预定区域移除封装材料，并使得集成电路封装体中的电路因此暴露出来。

在本发明一实施例中，腐蚀溶液包含一种酸。

在本发明另一实施例中，加热酸以增高温度。

在本发明另一实施例中，酸包含硝酸。

在本发明另一实施例中，酸包含硫酸。

在本发明另一实施例中，电路包含一种铝/金合金。

在本发明另一实施例中，封装材料包含一种环氧树脂。

在本发明另一实施例中，在无刻蚀掩膜的存在下移除封装材料。

在本发明另一实施例中，在一监视器存在下移除封装材料。

在本发明另一实施例中，使用一滴管以提供腐蚀溶液。

在本发明另一实施例中，滴管包含一橡皮头以间歇地提供腐蚀溶液。

在本发明另一实施例中，集成电路封装体置放在一可调整位置的操作台上。

在本发明另一实施例中，移除封装材料使得集成电路封装体被部份地解封。

在本发明另一实施例中，还可以使用一清洁溶液润洗集成电路封装体。

在本发明另一实施例中，还可以在移除封装材料前润洗集成电路封装体。

在本发明另一实施例中，还可以在移除封装材料后润洗集成电路封装体。

在本发明另一实施例中，清洁溶液包含去离子水。

在本发明另一实施例中，清洁溶液包含丙酮。

在本发明另一实施例中，还可以处理电路。

在本发明另一实施例中，处理电路方法包含一电路编写。

在本发明另一实施例中，使用一聚焦离子束以进行电路编写。

附图说明

本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本发明实施例有进一步的了解。所述些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在所述些图示中：

图1绘示出一种公知封装体，以暴露出其中的目标集成电路的方法。

图2绘示出另一种公知封装体，以暴露出其中的目标集成电路的方法。

图3至图8绘示出本发明一种解封集成电路封装体的方法。

须注意本说明书中的所有图示皆为图例性质。为了清楚与方便图标说明之故，图标中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现。图中相同的参考符号一般而言会用来标示修改后或不同实施例中对应或类似的特征。

其中，附图标记说明如下：

10 集成电路封装体

11 有机封装材料

12 集成电路

13 掩膜

20 腐蚀溶液

100 封装体

101 电路组件

102 封装材料

110 腐蚀性溶液