[发明专利]功率晶体管组件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率晶体管组件，其特征在于，包括：

一衬底，具有一第一导电类型；

一第一外延层，设于该衬底上，且具有该第一导电类型，其中该第一外延层具有一第一掺杂浓度；

一扩散掺杂区，设于该第一外延层中，且具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；

一第二外延层，设于该第一外延层与该扩散掺杂区上，且具有该第一导电类型，其中该第二外延层具有一第二掺杂浓度，且该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度；

一基体掺杂区，设于该第二外延层中，并与该扩散掺杂区相接触，且该基体掺杂区具有该第二导电类型；

一源极掺杂区，设于该基体掺杂区中，且具有该第一导电类型；以及

一栅极结构，设于该第二外延层与该源极掺杂区之间的该基体掺杂区上。

2.如权利要求1所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该第一外延层具有一第一电阻系数，该第二外延层具有一第二电阻系数，且该第二电阻系数大于该第一电阻系数。

3.如权利要求1所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该第一外延层具有一沟槽，且该扩散掺杂区位于该沟槽的一侧的该第一外延层中。

4.如权利要求3所述的功率晶体管组件，其特征在于，还包括一绝缘层，设于该沟槽。

5.如权利要求4所述的功率晶体管组件，其特征在于，还包括一接触插塞，设于该绝缘层上，且与该源极掺杂区及该基体掺杂区相接触。

6.如权利要求5所述的功率晶体管组件，其特征在于，还包括一源极金属层，设于该接触插塞上，且电性连接该源极掺杂区。

7.如权利要求1所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该栅极结构包括一栅极导电层以及一栅极绝缘层，且该栅极绝缘层设于该栅极导电层与该基体掺杂区之间。

8.一种功率晶体管组件，包括：

一衬底，具有一第一导电类型；

一第一外延层，设于该衬底上，且具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型，其中该第一外延层具有一第一掺杂浓度；

一扩散掺杂区，设于该第一外延层中，且具有该第一导电类型；

一第二外延层，设于该第一外延层与该扩散掺杂区上，并具有该第二导电类型，且该第二外延层具有一穿孔，其中该第二外延层具有一第二掺杂浓度，且该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度；

一栅极结构，设于该穿孔中；以及

一源极掺杂区，设于该穿孔的一侧的该第二外延层中，且该源极掺杂区具有该第一导电类型。

9.如权利要求1所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该第一外延层具有一第一电阻系数，该第二外延层具有一第二电阻系数，且该第二电阻系数大于该第一电阻系数。

10.如权利要求8所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该第一外延层具有一沟槽，位于该穿孔的正下方，且该扩散掺杂区位于该沟槽的一侧的该第一外延层中。

11.如权利要求10所述的功率晶体管组件，其特征在于，还包括一掺质来源层，填满该沟槽。

12.如权利要求8所述的功率晶体管组件，其特征在于，其中该栅极结构包括一栅极导电层以及一栅极绝缘层，且该栅极绝缘层设于该栅极导电层与该第二外延层之间。

13.一种功率晶体管组件的制作方法，包括：

提供一衬底，且该衬底具有一第一导电类型；

于该衬底上形成一第一外延层，且该第一外延层具有该第一导电类型，其中该第一外延层具有一第一掺杂浓度；

于该第一外延层上形成一第二外延层，且该第二外延层具有该第一导电类型，其中该第二外延层具有一第二掺杂浓度，且该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度；

于该第一外延层中形成一扩散掺杂区，且该扩散掺杂区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型；

于该第二外延层上形成一栅极结构；

于该第二外延层中形成一基体掺杂区，且该基体掺杂区与该扩散掺杂区相接触，并具有该第二导电类型；以及

于该基体掺杂区中形成一源极掺杂区，且该源极掺杂区具有该第一导电类型。

14.如权利要求13所述的功率晶体管组件的制作方法，其特征在于，其中形成该扩散掺杂区的步骤系进行于形成该第二外延层的步骤之后。