[发明专利]类金刚石膜及其制备方法无效
| 申请号: | 201110303957.X | 申请日: | 2011-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN102953043A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
| 发明(设计)人: | 宋健民;甘明吉;林逸樵 | 申请(专利权)人: | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C14/06 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
| 地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金刚石 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种类金刚石(DLC,diamond-like carbon)膜及其制备方法,尤其指一种碳原子与碳原子、碳原子与氢原子、或碳原子与卤素原子之间的键结为饱和键结的比例是80%以上的类金刚石膜及其制备方法。
背景技术
类金刚石膜,亦称为类钻碳(DLC,Diamond Like Carbon),其内含石墨键(sp2)以及钻石键(sp3),大部份的碳原子具有四面体的钻石键(sp3),这种钻石键为单键,而与其相邻的原子所提供的单电子形成共价键(Covalent Bond)。由于共价键的键能很大(>4ev),故其透光度很高。若共价键为碳-碳(C-C)单键其能隙更可达5.45ev,因此不会吸收电磁波,可让各种波长透过,例如红外线、可见光及波长短至约200nm的紫外线。
DLC可沉积在陶瓷(如,玻璃)、金属(如,铜铁)、半导体(如,III-V及II-VI族半导体)或塑料(如,聚碳酸酯(PC))上。所以用途很多,例如可用于红外线窗口、切削刀具、附刮护镜、耐酸镀膜、斥水界面等。由于DLC的主成份为碳(C),若欲披覆在不易形成碳化物的基材上(如,玻璃),或可溶碳的基材上(如,铜铁),常需先于基材上披露一薄层可形成碳化物的元素(如,硅、钛、钨等),这样才可增加DLC在基材上表面的附着力。
例如,若欲于玻璃表面形成DLC,由于玻璃内含多量硅(Si),因此可先于玻璃表面形成含硅的化合物(如,分解三甲基硅烷(Trimethyl Silane)所形成的碳化硅),再镀DLC。
又例如,若欲于铜铁表面形成DLC时,由于铜铁会溶碳并催化钻石成石墨,因此如高速钢的铜铁刀片于披覆DLC的前,可先披覆一薄层钛,使增加DLC在基材上表面的附着力。
此外,若欲于塑料表面形成DLC时,由于塑料较软,而且热膨胀率甚大,坚硬且热膨胀率甚低的DLC很容易自塑料表面剥离。因此,DLC内通常要加入大量的氢原子使其成份接近塑料,这样DLC就比较容易附着在塑料上。事实上,塑料是以碳为骨架的材料,塑料内含有甚多的钻石键。但塑料内的钻石键被氢、氮、或氧等原子隔离才使塑料的分子之间分开。这样塑料才变软而具有可塑性。
制作类金刚石膜的方法上,一般DLC的碳原料或前趋物(Precursor)可为固体(如,石墨),液体(如,酒精)或气体(如,甲烷、乙炔)。为了披覆在基材上,DLC的镀膜方法常使用不发生化学反应的物理法,即所谓的物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Deposition)。物理气相沉积通常在真空下进行。碳原子先以能量拆散,再沉积在基材上。由于能量集中在碳原料上,所以基材的温度可以保持较低(如<200℃),这样就不致改变基材的性质。能量加在碳原料的方法有多种,包括加热的蒸镀(Evaporation Coating)、离子撞击的溅镀(Sputtering)、或形成离子的离子镀(Ion Plating),其是将石墨气化成碳离子电弧,再加速撞击到基材的镀膜方法(Arc Deposition)。
虽然DLC的披覆方法及应用多已公知,但通常使用甲烷、乙炔、或石墨等前趋物所制得的DLC内含有较高含量的导电石墨键,以致其绝缘性及透光度都不足。例如,镀在电路板的铝基材上时,会由于绝缘性不佳而漏电;又如,镀在眼镜上会由于透光度不佳而使镜片变暗。此外,具有石墨键的DLC也较软而且容易氧化,所以容易剥落或变质。
因此,本领域亟需一种绝缘性佳、透光度高、质地较坚硬、且不轻易氧化的DLC。使可应用于各处,达到保护、绝缘、透光等效果,以加惠世人。
发明内容
本发明的目的在于提供一种类金刚石膜及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提供的类金刚石膜,该类金刚石膜包括至少一碳数为2以上的碳化合物,该类金刚石膜所组成的原子中所含碳原子的比例为50%以上,且该类金刚石膜中原子之间的键结为饱和键结的比例为80%以上。
所述的类金刚石膜,其中,该类金刚石膜中原子之间的键结是选自由:碳原子与碳原子之间的键结、碳原子与氢原子之间的键结、及碳原子与卤素原子之间的键结所组成的群组。
所述的类金刚石膜,其中,该类金刚石膜是由一前趋物(precursor)形成,该前趋物为一碳数为2以上的碳化合物,且其中原子之间的键结为饱和键结的比例为80%以上。
所述的类金刚石膜,其中,该类金刚石膜是由一前趋物形成,该前趋物为一碳数为2以上的碳化合物,且其中原子之间的键结为饱和键结的比例为90%以上。
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