[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器的制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)中，存储电容是非常重要的一个参数，其作用是让像素电极充电电压能够保持到下一帧的画面信号到达。所以存储电容的大小不仅关系到画面的正常显示，对画面品质也有很重要的作用。

传统的存储电容是在ITO(Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物)像素电极层与栅金属层之间形成。但为了避免栅极信号和数据信号之间相互干扰以及信号衰减，在制造过程中必须保证数据线保护层和栅绝缘层具有一定厚度，因此，ITO像素电极层与栅金属层例如栅线之间的存储电容的垂直距离比较大，要达到所需的存储电容就需要较大的正对面积，这样栅线与ITO像素电极层的交叠区域就会加大，很大程度上影响了像素的开口率。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法，以解决像素开口率低的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括：

在基板上涂布栅金属层，通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线；

在所述栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体有源层；

在所述半导体有源层上涂布数据金属层，通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极，以及与所述漏极连接的第二电容线；其中，所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应；

在所述数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层，并在所述漏极上方形成过孔；

在所述保护层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。

一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有栅线、栅极和第一电容线；

所述栅线、栅极和第一电容线上形成有栅绝缘层；

所述栅绝缘层上形成有半导体有源层；

所述半导体有源层上形成有数据线、源极、漏极和与所述漏极连接的第二电容线；其中，所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应；

所述数据线、源极、漏极、第二电容线上形成有保护层；

所述保护层上形成有像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。

本发明提供的TFT阵列基板及其制造方法，在栅金属层上形成有第一电容线，在数据金属层上形成有与第一电容线相互对应的第二电容线，由于栅金属层和数据金属层之间仅隔一层栅绝缘层，因此第一电容线与第二电容线之间的距离相较现有技术中的ITO像素电极层与栅线之间的距离而言，距离减小。因此，在总电容一定的前提下，电容之间的距离减小就会导致电容正对面积的减小，从而使得像素电极透光区域变大，像素开口率变大。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法的流程示意图；

图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的TFT阵列基板的结构示意图一；

图4为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的TFT阵列基板的结构示意图二；

图5为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的TFT阵列基板的结构示意图三；

图6为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的TFT阵列基板的结构示意图四；

图7为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法过程中的TFT阵列基板的结构示意图五。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。