[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201110302712.5 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102629580A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 陈小川;黎蔚;薛海林;徐宇博 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
在基板上涂布栅金属层，通过构图工艺处理得到栅线、栅极和第一电容线；
在所述栅线、栅极、第一电容线上涂布栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体有源层；
在所述半导体有源层上涂布数据金属层，通过构图工艺处理得到数据线、源极、漏极，以及与所述漏极连接的第二电容线；其中，所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应；
在所述数据线、源极、漏极、第二电容线上涂布保护层，并在所述漏极上方形成过孔；
在所述保护层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电容线位于像素电极区域的边缘。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应，位于像素电极区域的边缘。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素电极层的一部分位于所述栅线上方。
5.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
所述基板上形成有栅线、栅极和第一电容线；
所述栅线、栅极和第一电容线上形成有栅绝缘层；
所述栅绝缘层上形成有半导体有源层；
所述半导体有源层上形成有数据线、源极、漏极和与所述漏极连接的第二电容线；其中，所述栅极、源极、漏极与所述半导体有源层构成TFT，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应；
所述数据线、源极、漏极、第二电容线上形成有保护层；
所述保护层上形成有像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述漏极连接。
6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一电容线位于所述像素电极层的边缘。
7.根据权利要求5或6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二电容线与所述第一电容线相互对应，位于所述像素电极层的边缘。
8.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极层的一部分位于所述栅线上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110302712.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低速柴油机蝶阀壳体
- 下一篇：燃气熄火保护电磁阀
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
