[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

沿着第一方向延伸的沟道结构，所述沟道结构包括交替层叠在衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层以使每个层间电介质层与所述多个沟道层中对应的沟道层相邻；

所述沟道结构之上的字线，所述字线被配置为沿着与所述第一方向相交叉的第二方向延伸；

栅电极，所述栅电极被配置为沿着向下的方向突出于所述字线并且与所述沟道结构的侧壁接触；以及

存储器栅绝缘层，所述存储器栅绝缘层被配置为插入到所述栅电极与所述沟道结构之间，

其中，与所述层间电介质层的侧壁相比，所述沟道层的与所述栅电极接触的侧壁向所述栅电极突出。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，与所述层间电介质层的侧壁相比，所述沟道层的未与所述栅电极接触的侧壁沿着所述第二方向朝着所述栅电极突出。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器栅绝缘层包括隧道绝缘层、电荷俘获层和电荷阻挡层，并且

所述隧道绝缘层被设置为靠近所述沟道结构，所述电荷阻挡层被设置为靠近所述栅电极，所述电荷俘获层被设置在所述隧道绝缘层与所述电荷阻挡层之间。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线包括在所述字线最上层的硅化物层。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线包括其中顺序地层叠有导电层和硅化物层的结构，并且

所述字线的导电层与所述栅电极由相同的材料形成。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

栅间电介质层，所述栅间电介质层被配置为填充所述字线与所述栅电极之间的空间。

7.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

形成沟道结构，所述沟道结构沿着第一方向延伸并且包括交替层叠在衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层，以使每个层间电介质层与所述多个沟道层中对应的一个沟道层相邻；

在包括所述沟道结构的衬底结构之上形成存储器栅绝缘层；以及

在所述存储器栅绝缘层之上形成在所述沟道结构之上的沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的字线和沿着向下的方向突出于所述字线并且与所述沟道结构的侧壁接触的栅电极，

其中，与所述层间电介质层的侧壁相比，所述沟道层的与所述栅电极接触的侧壁向所述栅电极突出。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述沟道结构的步骤包括以下步骤：

形成初始沟道结构，所述初始沟道结构包括交替层叠在衬底之上的多个初始层间电介质层和多个沟道层，所述初始沟道结构沿着第一方向延伸并且具有平坦的侧壁；以及

将每个初始层间电介质层的每个侧壁的宽度去除预定的宽度。

9.如权利要求8所述的方法，其中，通过各向同性刻蚀工艺来执行将每个层间电介质层的每个侧壁去除预定宽度。

10.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

形成栅间电介质层，所述栅间电介质层限定将要形成所述字线和所述栅电极的空间，

其中形成所述栅间电介质层的步骤是在以下步骤中的一个之后执行的：在将每个初始层间电介质层的每个侧壁去除预定宽度之前形成所述初始沟道结构；以及在将每个初始层间电介质层的每个侧壁去除预定宽度之后形成所述初始沟道结构。

11.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

形成栅间电介质层，所述栅间电介质层限定将要形成所述字线和所述栅电极的空间。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述字线和所述栅电极的步骤包括以下步骤：

用导电层填充由所述栅间电介质层限定的空间。

13.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：

通过执行硅化工艺在所述导电层的最上层中形成硅化物层。

14.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述存储器栅绝缘层的步骤包括以步骤：

顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层和电荷阻挡层。