[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

所描述的技术总体上涉及一种具有底栅结构的有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器由于其诸如宽视角、快响应速度和相对低的功耗以及较轻的重量和较小的尺寸的优点已经作为下一代显示器而备受关注。

OLED显示器通常采用可以用在高速运算电路和CMOS电路中的具有良好的载流子迁移率的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)。LTPS TFT在其形成过程中需要次数相对较多的薄膜工艺。然而，随着OLED显示器变大并且在制造工艺中需要次数更多的薄膜工艺，OLED显示器的产率会劣化。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅是为了增强对所描述技术的背景的理解，因此其可以包含不构成对本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

所描述的技术致力于提供一种具有简化的制造工艺的底栅结构的OLED显示器。

所描述的技术也致力于提供一种用于制造具有底栅结构的OLED显示器的简化的方法。

一个示例性实施例提供了一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：第一多晶硅层图案，位于基底上，所述第一多晶硅层图案被杂质掺杂并且包括第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案，位于第一多晶硅层图案上；第二多晶硅层图案，包括分别位于第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极上的第一有源层、第二有源层和电容器多晶哑层；第三非晶硅层图案，所述第三非晶硅层图案被杂质掺杂并且包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层、位于电容器多晶哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括分别位于第一源极抵抗接触层、第一漏极抵抗接触层、第二源极抵抗接触层、第二漏极抵抗接触层和电容器非晶哑层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。

栅极绝缘层图案可以包括部分暴露第一多晶硅层图案的多个接触孔，除了接触孔之外，所述栅极绝缘层图案与第一多晶硅层图案叠置并且具有与第一多晶硅层图案基本相同的图案。

第三非晶硅层图案可以具有与数据金属层图案基本相同的图案。

所述数据金属层图案可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。

所述OLED显示器还可以包括：层间绝缘层，位于数据金属层图案上；连接金属层图案，位于层间绝缘层上，所述连接金属层图案包括连接到第一栅电极的栅极线、连接第二栅电极和第一漏电极的第一连接件、连接第一源电极和数据线的第二连接件、连接第二源电极和共电源线的第三连接件以及连接第二漏电极和第二电容器电极的第四连接件；透明导电层图案，位于层间绝缘层和连接金属层图案上。

所述透明导电层图案可以包括位于层间绝缘层上并且连接到第二漏电极的像素电极。

所述OLED显示器还可以包括堆叠在像素电极上的有机发射层和共电极。

所述透明导电层图案可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

另一示例性实施例提供了一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上顺序堆叠杂质掺杂的第一非晶硅层、栅极绝缘层和未被杂质掺杂的第二非晶硅层；通过分别使第一非晶硅层和第二非晶硅层晶化来形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；通过将第一多晶硅层、栅极绝缘层和第二多晶硅层图案化，以相同的图案形成第一多晶硅层图案、栅极绝缘层图案和第二多晶硅层图案中间物；在第二多晶硅层图案中间物上顺序堆叠杂质掺杂的第三非晶硅层和数据金属层；在数据金属层上形成具有多个厚度的感光膜图案；通过感光膜图案使第二多晶硅图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案。

形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案和数据金属层图案的步骤可以包括：利用感光膜图案通过第一蚀刻工艺将第二多晶硅层图案中间物、第三非晶硅层和数据金属层图案化，来形成第二多晶硅层图案、第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物；利用感光膜图案通过第二蚀刻工艺将第三非晶硅层图案中间物和数据金属层图案中间物图案化，来形成第三非晶硅层图案和数据金属层图案。