[发明专利]用于透明衬底的处理层

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及一种透明衬底中的处理层。

背景技术

许多微机电系统(MEMS)需要透明的衬底，该透明衬底使光能够穿过衬底并且穿过器件的部件。这种MEMS器件的实例包括，例如BioMEMS以及光学MEM或微光机电系统(MOEM)，该BioMEM包括处理生物材料以分析和测量其活动的器件。该MOEM器件可被用于光学开关、扫描仪、显示器以及各种其他光学应用中。

在器件的制造工艺中，使用透明衬底(例如，晶圆)可能会出现问题。许多制造工具利用普通的检测方法无法定位或识别透明衬底。例如，普通的工具可能使用自衬底反射的辐射来确定衬底的存在和/或校准。通过透明的衬底，辐射可能无法被充分反射。

因此，需要一种透明衬底的改进设计。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了器件，包括：透明晶圆；设置在透明晶圆上的不透明层；以及设置在不透明层上的导电层，其中，该导电层包括非金属层。

在该器件中，所述不透明层含有金属；或者所述不透明层选自由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(AL)、钨(W)、铜(Cu)、金(Au)和其组合构成的组；或者所述不透明层含有钛。

在该器件中，所述导电层含有硅；或者所述导电层是掺杂硅层，其中，所述掺杂硅层含磷。

该器件还包括：处在透明晶圆和不透明层之间的第一层，其中，第一层包括非晶硅和多晶硅中的至少一种；或者所述透明晶圆含有石英。

根据本发明的另一方面，提供了一种器件，包括：一种器件，包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的透明衬底，其中，至少一个MEM器件形成在所述第一表面上；以及设置在所述透明衬底的第二表面上的处理层，其中，所述处理层包括：设置在所述透明衬底的第二表面上的不透明层，其中，所述不透明层含有金属；以及设置在所述不透明层上的导电层，其中，所述导电层是非金属层。

在该器件中，所述导电层是掺杂硅层；或者所述不透明层的金属选自由铝、钨、铜、金、钛、氮化钛、和其组合构成的组；或者所述导电层的厚度在大约0.1μm和大约100μm之间。

在该器件中，所述处理层为入射辐射提供在大约50％和大约99％之间的反射率；或者所述导电层含有由化学汽相沉积形成的硅。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造晶圆的方法，所述方法包括：提供透明晶圆；在所述透明晶圆上形成不透明层；并且在所述不透明层上利用化学汽相沉积沉积导电层。

在该方法中，所述沉积包括利用等离子体增强型化学汽相沉积；或者所述导电层的沉积包括形成掺杂硅层。

该方法还包括：提供辐射束，其中所述辐射束射入所述透明晶圆；利用所述不透明层和所述导电层中的至少一个反射所述辐射束；并且利用被反射的辐射束确定所述透明晶圆的存在。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的数量和尺寸可以被任意增加或减少。

图1示出晶圆检测系统的实施例；

图2示出晶圆制造方法的实施例；

图3，4，5和6示出根据图2的方法步骤的衬底的实施例的透视图。

具体实施方式

以下公开提供了多种不同实施例或实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。此外，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之间使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。为了简化和清楚，各种部件可任意以不同的比例绘制。术语“晶圆”在此用来描述衬底，在该衬底上将通过制造工艺形成一个或多个器件。

本申请涉及的是MEMS器件环境下的透明衬底。然而，其他应用了透明衬底的公知或以后开发出的器件都得益于本发明并且在本发明的范围内。