[发明专利]用于透明衬底的处理层

权利要求书

1.一种器件，包括：

透明晶圆；

设置在透明晶圆上的不透明层；以及

设置在不透明层上的导电层，其中，该导电层包括非金属层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述不透明层含有金属；或者所述不透明层选自由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(AL)、钨(W)、铜(Cu)、金(Au)和其组合构成的组；或者

所述不透明层含有钛。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电层含有硅；或者

所述导电层是掺杂硅层7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述掺杂硅层含磷。

4.根据权利要求1所述的器件，还包括：

处在透明晶圆和不透明层之间的第一层，其中，第一层包括非晶硅和多晶硅中的至少一种；或者

所述透明晶圆含有石英。

5.一种器件，包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的透明衬底，其中，至少一个MEM器件形成在所述第一表面上；以及

设置在所述透明衬底的第二表面上的处理层，其中，所述处理层包括：

设置在所述透明衬底的第二表面上的不透明层，其中，所述不透明层含有金属；以及

设置在所述不透明层上的导电层，其中，所述导电层是非金属层。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述导电层是掺杂硅层；或者所述不透明层的金属选自由铝、钨、铜、金、钛、氮化钛、和其组合构成的组；或者

所述导电层的厚度在大约0.1μm和大约100μm之间。

7.根据权利要求5所述的器件，其中，所述处理层为入射辐射提供在大约50％和大约99％之间的反射率；或者

所述导电层含有由化学汽相沉积形成的硅。

8.一种制造晶圆的方法，所述方法包括：

提供透明晶圆；

在所述透明晶圆上形成不透明层；并且

在所述不透明层上利用化学汽相沉积沉积导电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述沉积包括利用等离子体增强型化学汽相沉积；或者

所述导电层的沉积包括形成掺杂硅层。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

提供辐射束，其中所述辐射束射入所述透明晶圆；

利用所述不透明层和所述导电层中的至少一个反射所述辐射束；并且

利用被反射的辐射束确定所述透明晶圆的存在。