[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置因轻薄、视角宽、响应速度快、以及功耗低等优点，作为新一代的显示装置而备受瞩目。

发明内容

本发明的目的在于，提供制造工序简单、可防止相对电极和排线之间短路的有机发光显示装置及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供有机发光显示装置，可以包括：薄膜晶体管，具有活性层、栅电极以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极电连接于所述活性层；像素电极，形成于与所述栅电极相同的层；发光层，形成于所述像素电极上；钝化层，形成于所述源电极和漏电极的上部以及排线的上部，所述排线形成于与所述源电极和漏电极相同的层；有机绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管，具有露出所述像素电极上部的开口，形成为直接与所述钝化层接触；以及相对电极，形成于所述发光层上，与所述像素电极相对地直接接触于所述有机绝缘层上。

根据本发明的另一特征，所述钝化层的侧端部可以具有与所述源电极和漏电极和所述排线的侧端部相同的蚀刻面。

根据本发明的再一特征，所述有机绝缘层可以形成为直接与所述钝化层的侧端部接触。

根据本发明的再一特征，所述钝化层可以包括无机绝缘物或者有机绝缘物。

根据本发明的再一特征，所述排线可以为数据线或者电源电压供给线。

根据本发明的再一特征，所述活性层和所述栅电极之间具有第一绝缘层；所述栅电极与所述源电极和漏电极之间具有第二绝缘层；通过形成于所述第二绝缘层的接触孔，所述源电极和漏电极中的一个可以与所述像素电极连接。

根据本发明的再一特征，所述像素电极可以包括与所述栅电极相同的透明导电物质。

根据本发明的再一特征，所述相对电极可以为反射电极。

根据本发明的再一特征，还可以包括：电容器，所述电容器具有：下部电极，形成于与所述活性层相同的层；以及上部电极，形成于与所述栅电极相同的层。

根据本发明的再一特征，所述有机绝缘层可以直接形成于所述上部电极上。

根据本发明的再一特征，所述下部电极可以包括掺杂有离子杂质的半导体。

根据本发明的再一特征，所述上部电极可以包括与所述栅电极相同的透明导电物质。

根据本发明的再一特征，所述透明导电物质可以包括选自ITO、IZO、ZnO以及In₂O₃的一种物质。

根据本发明的另一方面，提供有机发光显示装置的制造方法，包括：第一掩模工序，在基板上形成半导体层，图案化所述半导体层以形成薄膜晶体管的活性层；第二掩模工序，在所述第一掩模工序的产物上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质以及第一金属并对其进行图案化，以形成薄膜晶体管的栅电极和像素电极；第三掩模工序，在所述第二掩模工序的产物上形成第二绝缘层，图案化所述第二绝缘层，以形成露出所述活性层的源区域和漏区域和所述像素电极的接触孔；第四掩模工序，在所述第三掩模工序的产物上依次形成第二金属和钝化层，图案化所述第二金属和所述钝化层，以形成与所述活性层连接的源电极和漏电极以及位于与所述源电极和漏电极相同的层的排线；以及第五掩模工序，在所述第四掩模工序的产物上形成第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行开口以露出所述像素电极的透明导电物质。

根据本发明的另一特征，在所述第二掩模工序后，可以对所述源区域和漏区域掺杂离子杂质。

根据本发明的另一特征，所述第四掩模工序，可以包括：第一蚀刻工序，去除所述钝化层的一部分；第二蚀刻工序，去除层叠于所述像素电极上的所述第二金属；以及第三蚀刻工序，去除形成于所述像素电极的透明导电物上的所述第一金属。

根据本发明的另一特征，所述第一蚀刻工序可以为干蚀刻工序。

根据本发明的另一特征，所述第四掩模工序可以为：在去除所述钝化层的一部分的第一蚀刻工序后，同时蚀刻以相同的材料形成的所述第一金属和所述第二金属。

根据本发明的另一特征，所述第一掩模工序还包括：形成电容器的下部电极；所述第二掩模工序还包括：形成电容器的上部电极；所述第三掩模工序还包括：形成露出所述上部电极的接触孔；以及所述第四掩模工序还可以包括：去除所述上部电极的一部分。

根据本发明的另一特征，在所述第四掩模工序后，还可以包括：对所述电容器的下部电极掺杂离子杂质。

根据本发明的另一特征，在所述第五掩模工序后，还可以在所述像素电极上部形成发光层和相对电极。