[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；

夹设在所述第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，所述多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；

所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述多量子阱层的上表面为阶梯状的台阶面，以使得所述多量子阱层在沿层高方向形成与第二半导体层相接触的断面。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

所述多量子阱层的下表面为阶梯状的台阶面，以使得所述多量子阱层在沿层高方向形成与第一半导体层相接触的断面。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，各个所述多量子阱结构的横向长度均相同。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，

从所述第一位置开始的第n个所述多量子阱结构的厚度t_n＝(r_qt₁-nr_gl)/r_q，其中n＞1，t₁为从所述第一位置开始的第1个所述多量子阱结构的厚度，r_g为所述第一半导体层的单位长度电阻，r_q为所述多量子阱结构的单位长度电阻，l为所述多量子阱结构的横向长度。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

在沿所述第一位置到所述第二位置的方向，所述多量子阱层的上表面为一逐渐下降的阶梯状的台阶面；

或者，在沿所述第一位置到所述第二位置的方向，所述多量子阱层的上表面为一逐渐上升的阶梯状的台阶面；

或者，在沿所述第一位置到所述第二位置的方向，所述多量子阱层的上表面包括呈逐渐下降的阶梯状的台阶面的部分和呈逐渐上升的阶梯状的台阶面的部分。

7.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

沉积第一半导体层；

对所述第一半导体层进行刻蚀，使得所述第一半导体层形成一呈阶梯状的台阶面的上表面；

在所述第一半导体层上形成多量子阱层；以及

在所述多量子阱层上形成第二半导体层；

其中，所述多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

所述在所述第一半导体层上形成多量子阱层，包括：

首先沉积具有水平上表面的多量子阱层，然后对沉积的该多量子阱层进行刻蚀，使各个多量子阱结构的厚度不等，且沿预定的所述第一位置到预定的所述第二位置的方向，逐渐递减，其中，沉积在所述第一半导体层的上表面中的每个台阶面的多量子阱层部分为一个多量子阱结构。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

所述多量子阱层的上表面为阶梯状的台阶面，以使得所述多量子阱层在沿层高方向形成与第二半导体层相接触的断面。

10.如权利要求7～9任一项所述的制造方法，其特征在于，

所述多量子阱层的下表面为阶梯状的台阶面，以使得所述多量子阱层在沿层高方向形成与第一半导体层相接触的断面。

11.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，各个所述多量子阱结构的横向长度均相同。