[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201110262068.3 | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN102386201A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 陈昭兴;钟健凯;刘欣茂;姚久琳;黄建富 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同,具有耗电量低、元件寿命长、无需暖灯时间、反应速度快等优点,再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件,在市场上的应用颇为广泛。例如,光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。
传统的阵列式发光二极管,如图1所示,包含一蓝宝石绝缘基板10、多个发光叠层12形成于蓝宝石绝缘基板10上,包含一p型半导体层121、一发光层122、以及一n型半导体层123。由于蓝宝石基板10不导电,因此在多个发光叠层12之间由蚀刻形成沟槽14后可使各发光叠层12彼此绝缘,另外再通过部分蚀刻多个发光叠层12至n型半导体层123,分别于n型半导体层123暴露区域以及p型半导体层121上形成一第一电极18以及一第二电极16。再通过金属导线19选择性连接多个发光叠层12的第一电极18及第二电极16,使得多个发光叠层12之间形成串联或并联的电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光装置及其制造方法,以解决上述问题。
为达上述目的,本发明提供一种发光装置,其包括:一载体;一发光结构,形成于载体上,其中,发光结构具有一第一表面面向载体,一第二表面相对于第一表面,以及一有源层介于第一表面及第二表面之间;多个第一沟槽从第一表面延伸通过有源层,定义出多个发光元件;以及多个第二沟槽从第二表面延伸通过每一个发光元件的有源层。
本发明还提供一种发光装置的制造方法,其包括:提供一基板;形成一发光结构于基板,其中发光结构包括一第一表面以及一第二表面于基板上;以及通过形成从发光结构的第一表面开始延伸的多个第一沟槽,定义多个发光元件;移除基板以露出第二表面;以及从第二表面形成多个第二沟槽。
本发明还提供一种发光装置,其包括:一载体;一发光结构,形成于载体上,其中,发光结构具有一第一表面面相载体,及一第二表面相对于第一表面,以及一有源层介于第一表面及第二表面之间;多个第一沟槽从第一表面延伸通过有源层;以及多个第二沟槽从发光结构的第二表面延伸;其中,第二沟槽露出第一沟槽部分底部。
附图说明
图1是现有发光装置的侧视剖面视图;
图2A至图2H是本发明实施例的发光元件的制造方法示意图;
图3是本发明实施例的发光单元的三维视图;
图4A是本发明第二实施例的发光单元的剖面视图;
图4B是本发明第二实施例的发光单元的三维视图。
主要元件符号说明
10 蓝宝石基板 202 第一半导体层
12 发光叠层 204 有源层
121 p型半导体层 206 第二半导体层
122 发光层 208 发光结构
123 n型半导体层 210 第一沟槽
14 沟槽 212 发光元件
16 第二电极 214 绝缘层
18 第一电极 216 导电结构
19 金属导线 218 载体
201 基板 220 第二沟槽
222 绝缘层
223 接合层
223a 基础部分
223b 突出部分
224 导电结构
226 第一接合垫
227 第二接合垫
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的