[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

载体；

发光结构，形成于该载体上，其中，该发光结构具有第一表面面向该载体，第二表面相对于该第一表面，以及有源层介于该第一表面及第二表面之间；

多个第一沟槽从该第一表面延伸通过该有源层，定义出多个发光元件；以及

多个第二沟槽从该第二表面延伸通过该些发光元件的该有源层。

2.如权利要求1所述的发光装置，还进一步包括接合层形成于该多个发光元件及该载体之间。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中，该接合层包括底座部分与该载体连接，以及多个突出部分与每一该多个第一沟槽对应。

4.如权利要求2所述的发光装置，还进一步包括绝缘层位于该接合层与该多个发光元件之间。

5.如权利要求4所述的发光装置，还进一步包括导电结构位于该绝缘层与该接合层之间，以电连接该多个发光元件。

6.如权利要求5所述的发光装置，其中任一该多个发光元件包括第一半导体层以及第二半导体层，该导电结构连接其中一发光元件的第一半导体层及另一发光元件的该第二半导体层之间。

7.如权利要求6所述的发光装置，还进一步包括接点形成在该发光元件的该第一表面上并与该导电结构接触。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中任一该多个第二沟槽包括绝缘层形成在侧壁上。

9.如权利要求8所述的发光装置，还进一步包括至少一导电结构填入该第二沟槽且与该第二沟槽的底部接触。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光元件包括第一半导体层介于该载体与该有源层之间，以及第二半导体层在该有源层与该第一半导体层相对的另一侧；该第一沟槽从该第一半导体层延伸到该第二半导体层，且露出该第二半导体层，以及该第二沟槽通过该第二半导体层，且露出该第一半导体层。

11.一种发光装置的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一发光结构于该基板，其中该发光结构包括第一表面以及第二表面靠近该基板上；以及

通过形成从该发光结构的该第一表面开始延伸的多个第一沟槽，定义多个发光元件；

移除该基板以露出该第二表面；以及

从该第二表面形成多个第二沟槽。

12.如权利要求11所述的发光装置的制造方法，还进一步包括在移除该基板之前，附着一载体于该些发光元件的该第一表面上。

13.如权利要求12所述的发光装置的制造方法，还进一步包括形成介电层在该第一沟槽的侧壁上，以及共型地在该介电层上形成多条导线以连接该多个发光元件。

14.如权利要求12所述的发光装置的制造方法，还进一步包括在该多个发光元件与该载体之间，形成一接合层。

15.如权利要求11所述的发光装置的制造方法，还进一步包括在形成该多个第二沟槽之后，填入一绝缘层到该多个第二沟槽。

16.如权利要求11所述的发光装置的制造方法，还进一步包括在该第二沟槽中形成一导电结构，其中该导电结构以该绝缘层与该发光元件绝缘，并接触该第二沟槽的底部。

17.如权利要求16所述的发光装置的制造方法，其中该发光结构包括第一半导体层形成在该基板上，有源层形成在该第一半导体层上，及第二半导体层形成在该有源层上，且移除部分的该第二半导体层及该有源层并露出该第一半导体层以形成该第一沟槽，以及以移除部分的该第一半导体层及该有源层并露出该第二半导体层以形成该第二沟槽。

18.如权利要求16所述的发光装置的制造方法，其中该发光结构包括第一半导体层形成在该基板上，有源层形成在该第一半导体层上，及第二半导体层形成在该有源层上，且移除部分的该第二半导体层以及该有源层并露出该第一半导体层以形成该第一沟槽，以及移除部分的该第一半导体层并露出该第一沟槽部分底部以形成该第二沟槽。

19.一种发光装置，包括：

载体；

发光结构，形成于该载体上，其中，该发光结构具有第一表面面向该载体，及第二表面相对于该第一表面，以及有源层介于该第一表面及第二表面之间；

多个第一沟槽从该第一表面延伸通过该有源层；以及

多个第二沟槽从该发光结构的该第二表面延伸；

其中，该第二沟槽露出该第一沟槽部分底部。