[发明专利]晶片的分离方法及分离装置无效
申请号: | 201110254294.7 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102956530A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 高田大辅;末安幸一;西田大辅;宫津匡 | 申请(专利权)人: | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/00;B28D5/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 梅高强;刘煜 |
地址: | 日本东京都武藏*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分离 方法 装置 | ||
1.一种晶片分离方法,其特征在于,该方法通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触,从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片,
所述气液混合流含有的气泡,是通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。
2.根据权利要求1所述的晶片分离方法,其特征在于,所述气液混合流为含有气泡的喷流、与喷出到液体中的喷流合流而成,该气泡为通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。
3.根据权利要求1或2所述的晶片分离方法,其特征在于,所述气液混合流为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流,从而该气液混合流从液面侧与在液体中的层叠晶片组碰触。
4.根据权利要求3所述的晶片分离方法,其特征在于,所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触气液混合流的一侧较高,所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同。
5.根据权利要求4所述的晶片分离方法,其特征在于,使从所述层叠晶片组分离的晶片中、位于最上部的晶片移动到规定的部位。
6.根据权利要求5所述的晶片分离方法,其特征在于,晶片的移动通过吸附单元吸附而进行。
7.根据权利要求5或6所述的晶片分离方法,其特征在于,从在液体中的所述层叠晶片组分离的晶片在与设置的倾斜角度相同的倾斜方向上在液体中向液面移动,被从液体中取出到气体中。
8.一种晶片分离装置,其特征在于,通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触,从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片,
该装置具有喷出单元,该喷出单元使从将液体喷向液面的气体中喷出口喷至液面的液体与液面进行碰撞,从而在气液界面取得气体,使喷出液体中含有气泡。
9.根据权利要求8所述的晶片分离装置,其特征在于,所述喷出单元除了气体中喷出口以外还具有在液体中喷出液体的液体中喷出口,使从所述气体中喷出口向液面喷出的喷流与从所述液体中喷出口喷出的喷流合流而构成气液混合流。
10.根据权利要求9所述的晶片分离装置,其特征在于,所述喷出单元为喷嘴,所述气体中喷出口与所述液体中喷出口属于相同的喷嘴或者分别属于不同的喷嘴。
11.根据权利要求10所述的晶片分离装置,其特征在于,所述喷嘴具有喷出口,该喷出口使所述气液混合流形成为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流,并使该气液混合流与在液体中的层叠晶片组碰触。
12.根据权利要求10所述的晶片分离装置,其特征在于,所述喷嘴具有:产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴,
第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侧,并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧,
第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧,并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。
13.根据权利要求11所述的晶片分离装置,其特征在于,所述喷嘴具有:产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴,
第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侧,并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧,
第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧,并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。
14.根据权利要求11、12或13中任一项所述的晶片分离装置,其特征在于,所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触所述气液混合流的一侧较高,所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同。
15.根据权利要求14所述的晶片分离装置,其特征在于,具有取出单元,该取出单元使这样的晶片,即从液体中的所述层叠晶片组分离出的、位于最上部的晶片,以与设置所述层叠晶片组的倾斜角度相同的方向,在液体中向液面移动,从而将该晶片从液体中取出到气体中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造