[发明专利]一种烧结钕铁硼器件的制备方法有效
| 申请号: | 201110253261.0 | 申请日: | 2011-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN102294479A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
| 发明(设计)人: | 徐文正;张民;沈国迪;欧阳习科 | 申请(专利权)人: | 宁波韵升股份有限公司;宁波韵升高科磁业有限公司;宁波韵升特种金属材料有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司;包头韵升强磁材料有限公司 |
| 主分类号: | B22F3/16 | 分类号: | B22F3/16;C22C38/00;C22C33/02;H01F1/08;H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
| 地址: | 315040 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 烧结 钕铁硼 器件 制备 方法 | ||
1.一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1).取一适用于烧结钕铁硼器件的基体,在基体的上表面开出一个凹槽;
(2).将镍合金箔垫入到凹槽中;
(3).制作一与基体的外型匹配的带型腔的围框,将基体的凹槽面朝上装入型腔的底部,得到由基体和围框组合成的料盘;
(4).将钕铁硼细粉填充到型腔中并且压实;
(5).将料盘整体移入电磁场产生装置中对钕铁硼细粉取向;
(6).将取向后的料盘放于烧结盆中,再将烧结盆移入烧结炉进行烧结;
(7).将烧结后的料盘的围框取下,得到由烧结钕铁硼磁体和基体组成的烧结钕铁硼器件的半成品;
(8).对烧结钕铁硼器件的半成品进行后加工处理,得到由烧结钕铁硼磁体和基体组成的烧结钕铁硼器件的成品。
2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(2)中的凹槽的深度为0.05~0.30mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(2)中的镍合金箔的厚度不超过凹槽的深度。
4.根据权利要求1或2所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(2)中的镍合金箔的厚度与凹槽的深度相同。
5.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(2)中的镍合金箔为多孔结构。
6.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(2)中的镍合金箔的材料选自Ni-7Cr3.0Fe4.5Si3.2B、Ni-4.5Si3.2B和Ni-7.3Si2.17B中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(4)中的钕铁硼细粉的制备方法为:将钕铁硼合金放入真空电磁感应炉中熔炼浇注成速凝片,接着将速凝片氢碎制成粗粉,然后对粗粉进行高压气体加速、相互之间碰撞处理,得到平均粒度为2.8~3.5μm的钕铁硼细粉。
8.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(5)中的电磁场产生装置为脉冲螺线管。
9.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(6)中的烧结过程为先脱气升温至1020~1075℃,在1020~1075℃下保温1~3.5小时,然后冷却至常温;接着再升温至850~950℃,在850~950℃下再保温1~3小时高温时效后冷却至常温;然后再升温至480~580℃,在480~580℃下再保温1~4小时低温时效后冷却至常温。
10.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼器件的制备方法,其特征在于所述的步骤(8)中的后加工处理过程为对烧结钕铁硼磁体的上表面进行磨加工,得到光滑平面,然后对烧结钕铁硼磁体进行倒角和表面处理,得到由烧结钕铁硼磁体和基体组成的烧结钕铁硼器件的成品。
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