[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种LDMOS器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，Lateral Double-diffuse MOS)器件由于其具有良好的短沟道特性而被广泛地应用于移动电话中，尤其应用在900MHz的蜂窝电话中。随着移动通信市场(尤其是蜂窝通信市场)的不断增长，LDMOS器件的制造工艺越来越成熟。

传统工艺中，LDMOS器件漂移区上的场氧化层及器件之间的隔离层均采用硅局部氧化(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)工艺而形成，所述LOCOS工艺可包括如下步骤(以漂移区上的场氧化层为例进行说明)：

1、在硅衬底上用热氧化方式生长一层薄的二氧化硅，之后在二氧化硅上沉积一层氮化硅。生长二氧化硅的目的是为了避免氮化硅对硅衬底表面造成应力损伤。

2、在氮化硅上旋涂光刻胶，并用定义漂移区的掩膜版进行曝光，之后显影，形成具有漂移区图案的光刻胶层。

3、以所述具有漂移区图案的光刻胶层作掩模进行刻蚀，刻蚀时要保留一定厚度的二氧化硅，避免硅衬底受到损伤。

4、利用漂移区以外的氮化硅作为局部氧化的掩膜生长二氧化硅。所述二氧化硅的厚度可根据器件的特性而进行选取。

由于LOCOS工艺会使得硅衬底表面凹凸不平，因此，不利于高集成度、小线宽集成电路的制造。对于0.18μm及其以下的工艺，器件之间的隔离层不再采用LOCOS工艺来形成，而是采用沟槽填充二氧化硅及化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺来形成。采用沟槽填充二氧化硅可以实现硅衬底表面的全局平坦化，以利于后续的工艺进程。但是，采用这种工艺而形成的LDMOS器件的耐压均匀性较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，以达到与0.18μm工艺兼容、提高LDMOS器件耐压均匀性的目的。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LDMOS器件制造方法，该方法包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；

在所述基底上形成漂移区场氧化层；

去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；

在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；

采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。

优选的，上述方法中，在所述基底上形成漂移区场氧化层，具体包括：

在所述第一氮化硅层上形成具有漂移区图案的光刻胶层；

以所述具有漂移区图案的光刻胶层为掩膜对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀；

以漂移区外的第一氮化硅层为掩膜采用热氧化生长工艺在基底上形成漂移区场氧化层。

优选的，上述方法中，采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层，具体包括：

在所述第二氮化硅层上形成具有隔离区图案的光刻胶层；

以所述具有隔离区图案的光刻胶层为掩膜采用刻蚀工艺在基底内形成隔离区沟槽；

在所述基底上形成第三氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖基底表面并填充所述隔离区沟槽；

对所述第三氧化硅层进行化学机械研磨。

优选的，上述方法中，在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层之后，还包括：在所述第二氮化硅层上形成氮氧化硅层。

优选的，上述方法中，在基底内形成隔离区沟槽的深度为400nm。

优选的，上述方法中，在基底内形成隔离区沟槽的角度为80°～90°。

优选的，上述方法中，对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀的角度为85°～90°。

本发明还提供了一种LDMOS器件，该LDMOS器件包括：

基底；

位于基底上的漂移区场氧化层；

位于基底上的隔离区氧化层；

位于基底上的第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖漂移区场氧化层，但不覆盖隔离区氧化层。

优选的，上述LDMOS器件中，所述漂移区场氧化层为N型漂移区场氧化层或P型漂移区场氧化层。

优选的，上述LDMOS器件中，所述漂移区场氧化层的厚度为200nm。