[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；

在所述基底上形成漂移区场氧化层；

去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；

在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；

采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成漂移区场氧化层，具体包括：

在所述第一氮化硅层上形成具有漂移区图案的光刻胶层；

以所述具有漂移区图案的光刻胶层为掩膜对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀；

以漂移区外的第一氮化硅层为掩膜采用热氧化生长工艺在基底上形成漂移区场氧化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层，具体包括：

在所述第二氮化硅层上形成具有隔离区图案的光刻胶层；

以所述具有隔离区图案的光刻胶层为掩膜采用刻蚀工艺在基底内形成隔离区沟槽；

在所述基底上形成第三氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖基底表面并填充所述隔离区沟槽；

对所述第三氧化硅层进行化学机械研磨。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层之后，还包括：

在所述第二氮化硅层上形成氮氧化硅层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在基底内形成隔离区沟槽的深度为400nm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在基底内形成隔离区沟槽的角度为80°～90°。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀的角度为85°～90°。

8.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的漂移区场氧化层；

位于基底上的隔离区氧化层；

位于基底上的第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖漂移区场氧化层，但不覆盖隔离区氧化层。

9.根据权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区场氧化层为N型漂移区场氧化层或P型漂移区场氧化层。

10.根据权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区场氧化层的厚度为200nm。