[发明专利]掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺无效
| 申请号： | 201110217320.9 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102270578A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 于宗光;张明;戴昌梅;吴晓鸫 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 衬底 超薄 sio sub 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其特征是，所述超薄SiO2生长工艺包括如下步骤：
（a）、提供需要生长超薄SiO2层的半导体基板；
（b）、去除半导体基板表面的自然氧化层；
（c）、向氧化炉管内以10~18L/min的速度通入氮气，并将上述清洗后的半导体基板通过反应舟送入氧化炉管内，且使半导体基板生长厚度均匀的SiO2层；
（d）当氧化炉管的温度在650℃~750℃时，使氧化炉管的温度保持10~30min；
（e）、当氧化炉管的温度稳定后，向氧化炉管内通入O2，N2与O2混合后，半导体基板在氧化炉管内生长20~40分钟生长SiO2层，N2与O2在氧化炉管内混合的体积比为10：1~100：1。
2.根据权利要求1所述的掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其特征是：所述步骤（e）中，半导体基板上生长SiO2层厚度为2~10nm。
3.根据权利要求1所述的掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其特征是：所述步骤（b）中，通过HF溶液去除半导体基板表面的自然氧化层。
4.根据权利要求1所述的掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。
5.根据权利要求3所述的掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其特征是：所述HF溶液的浓度为10%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
