[发明专利]一种晶硅表面镀膜及其制备方法

权利要求书

1.一种晶硅表面镀膜，其特征是，包括晶硅表面的第一层非晶硅层，非晶硅层上面的第二层氮化硅层和氮化硅层上面的第三层氮氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的晶硅表面镀膜，其特征是，所述的第一层非晶硅层膜厚为5～30nm，第二层氮化硅层膜厚为20～100nm，第三层氮氧化硅层膜厚为5～100nm。

3.权利要求1所述的晶硅表面镀膜的制备方法，其特征是，步骤如下：

(1)将单晶或多晶硅片进行表面处理；

(2)在硅片受光面进行等离子增强化学气相沉积镀膜，先用硅烷和氢气的混合气体或者硅烷和氮气的混合气体为气相，硅烷与氢气或者硅烷与氮气的体积流量比为1∶1～10，镀膜沉积温度为200℃～500℃，沉积腔压力为500～3000mTorr，沉积时间为30～400s；

(3)通入硅烷和氨气的混合气体作为气相，调整硅烷和氨气的体积流量比为1∶4～15，镀膜沉积温度为300～600℃，沉积腔压力为1000～2000mTorr，在第一层非晶硅薄膜的表面上沉积出第二层氮化硅薄膜，沉积时间为200～1000s；

(4)通入硅烷和一氧化二氮的混合气体为气相，调整硅烷和一氧化二氮的体积流量比为1∶1～15，镀膜沉积温度为200～600℃，沉积腔压力为1000～3000mTorr，在第二层氮化硅的表面沉积出最后一层氮氧化硅薄膜，沉积时间为50～1000s。

4.根据权利要求3所述的晶硅表面镀膜的制备方法，其特征是，步骤如下：

(1)将单晶或多晶硅片进行表面处理；

(2)在硅片受光面进行等离子增强化学气相沉积镀膜，先用硅烷和氢气的混合气体或者硅烷和氮气的混合气体为气相，硅烷与氢气或者硅烷与氮气的体积流量比为1∶2～8，镀膜沉积温度为250℃～350℃，沉积腔压力为1500～2000mTorr，沉积时间为100～300s；

(3)通入硅烷和氨气的混合气体作为气相，调整硅烷和氨气的体积流量比为1∶4～15，镀膜沉积温度为400～500℃，沉积腔压力为1000～2000mTorr，在第一层非晶硅薄膜的表面上沉积出第二层氮化硅薄膜，沉积时间为300～700s；

(4)通入硅烷和一氧化二氮的混合气体为气相，调整硅烷和一氧化二氮的体积流量比为1∶5～15，镀膜沉积温度为300～500℃，沉积腔压力为1000～2000mTorr，在第二层氮化硅的表面沉积出最后一层氮氧化硅薄膜，沉积时间为100～700s。