[发明专利]一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法

权利要求书

1.一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：

1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；

2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源GeTe合金粉，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为650～1100Pa；

3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至495-505℃，保温；

4)保温结束后，停载气并维持炉管内压为110～130Pa，进行自然降温。

2.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤1)中，所述Au薄膜的厚度为1.5～15nm。

3.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤1)中，所述水平管式炉抽真空至120～150Pa。

4.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤2)中，所述载气为氩气和氢气的混合气体，其中所述氢气占所述载气体积总量的4.9-5.1％。

5.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，所述溅有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向且距炉体边缘为3.5～4cm处。

6.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，当炉中部管温升至495-505℃后，控制所述溅射有Au薄膜的Si基片的温度为353～390℃。

7.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，所述保温过程为：先保温3.5-4.5min，然后将炉管整体向下风向拖动2.9-3.1cm，再保温25.5-26.5min。