[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种例如在半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板处理装置。

背景技术

先前，在真空中的半导体工艺等的基板(硅片)处理中，为了提高处理均匀性，而进行用以使基板表面温度均匀化的温度调节。作为基板温度调节方法，一般采用如下方法，在承载基板的基板承载台(承载台)的内部设置制冷剂通道，使制冷剂流入该通道，由来自基板承载台的放射热，冷却承载在基板承载台上的基板表面进行温度调节。

例如，在专利文献1中，公开了一种等离子体处理装置，在该等离子体处理装置中，在基板承载台的内部设置2个同心圆状的制冷剂通道，使流入外侧通道的制冷剂和流入内侧通道的制冷剂的温度成为相对不同的温度，并通过使对接受来自腔室内壁的放射热的基板周缘部进行的冷却比对基板中央部进行的冷却强，使基板的表面温度均匀化。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平9-17770号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，流入温度相互不同的制冷剂的2个系统的制冷剂通道是在1个基板承载台的内部邻接，导致这2个系统的制冷剂通道温度相互影响，因此，有可能无法独立控制基板的中央部和周缘部各自的冷却。即，无法分别对承载在基板承载台上的基板的中央部及周缘部进行精密的温度管理、温度控制，从而难以使受到来自腔室内壁的放射热较大影响的基板周缘部的表面温度、和受此影响较小的基板中央部的表面温度均匀化。因此，由于基板处理中的基板表面整个面的条件未能均匀化，所以，存在无法均匀地进行基板处理的问题。进而，在等离子体处理装置内，因基板承载台为一体构成，也将成为导致2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，从而无法独立控制中央部及周缘部的基板温度的原因。再者，由于独立设置2个系统的制冷剂通道，所以需要用来对各个制冷剂通道的入口和出口供给或排出制冷剂的配管，因此，装置整体的配管数量增加或配管构成的复杂化也成为了问题。

此外，例如在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，一般来说，基板是以静电吸盘等的方式承载在基板承载台上，所以，基板承载台的温度变化容易直接影响到基板表面的温度变化，使得基板表面的温度管理、温度控制相对容易。但是，在以基板和基板承载台之间形成有间隙的状态承载基板的方式的基板处理装置中，是利用来自基板承载台的放射热，对基板表面进行温度管理、温度控制，此时，基板承载台的温度变化并不直接影响到基板表面的温度变化，所以，必须对基板承载台进行更加精密的温度管理、温度控制。

于是，鉴于所述问题等，本发明的目的在于提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制，且配管构成简化的基板处理装置。

[解决问题的技术手段]

为了达到所述目的，而根据本发明，提供一种基板处理装置，其在真空处理空间中处理基板，且包含承载至少2片以上的基板的基板承载台，所述基板承载台是由数量和承载的基板数量对应的基板承载部构成，在所述基板承载部，相互独立地形成有对承载的基板中央部进行调温的中央调温通道和对基板周缘部进行调温的周缘调温通道，在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口，且设置数量与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。另外，在此调温表示温度控制、温度调节。

在所述基板处理装置中，所述周缘调温通道包含：周缘内侧通道，一端部连接在所述调温介质导入口，且沿着基板的周缘部延伸；周缘外侧通道，一端部连接在所述调温介质排出口，且沿着基板的周缘部延伸；以及连接通道，连接所述周缘内侧通道的另一端部和所述周缘外侧通道的另一端部；且，所述连接通道和所述调温介质排出口是分别夹着所述调温介质导入口，邻接配置在该调温介质导入口。

也可以使所述中央调温通道和所述周缘调温通道分别连接在不同的调温介质供给源。也可以在所述中央调温通道及所述周缘调温通道的内部上表面，设置有从该上表面突出的散热片。也可以在所述调温介质排出口分别设置有流量控制机构。所述流量控制机构可以分别进行独立控制。