[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201110189199.3 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102315143A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 小田桐正弥;村木雄介;富士原仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其在真空处理空间中处理基板,且
包含承载至少2片以上的基板的基板承载台,
所述基板承载台是由数量和承载的基板数量对应的基板承载部构成,
在所述基板承载部,相互独立地形成有对承载的基板中央部进行调温的中央调温通道和对基板周缘部进行调温的周缘调温通道,
在所述基板承载台上设置有1个使调温介质导入到所述周缘调温通道的调温介质导入口,且设置有数量刚好与承载的基板数量对应的使调温介质从所述周缘调温通道中排出的调温介质排出口。
2.根据权利请求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述周缘调温通道包含:
周缘内侧通道,一端部连接在所述调温介质导入口,且沿着基板的周缘部延伸;
周缘外侧通道,一端部连接在所述调温介质排出口,且沿着基板的周缘部延伸;以及
连接通道,连接所述周缘内侧通道的另一端部和所述周缘外侧通道的另一端部;
且,所述连接通道和所述调温介质排出口是配置成分别夹着所述调温介质导入口而邻接该调温介质导入口。
3.根据权利请求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述中央调温通道和所述周缘调温通道分别连接在不同的调温介质供给源。
4.根据权利请求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述中央调温通道及所述周缘调温通道的内部上表面,设置有从该上表面突出的散热片。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述调温介质排出口分别设置有流量控制机构。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于:
所述流量控制机构是分别独立控制。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述基板承载部是由
承载基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、
承载基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及
支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成,
且,在所述周缘承载部件的内部形成有所述周缘调温通道,
在所述中央承载部件的内部形成有所述中央调温通道,
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙,所述周缘承载部件和所述中央承载部件为非接触。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于:
所述周缘承载部件是由2个以上的环状周缘部和使该周缘部彼此结合的周缘结合部构成,所述中央承载部件是由形状和所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部和使该中央部彼此结合的中央结合部构成,在所述周缘部和所述中央部之间,沿水平方向形成有环状间隙,在所述周缘结合部和所述中央结合部之间,沿铅直方向形成有间隙,且所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述周缘部的外缘部设置有进行基板对位的定位校正环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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