[发明专利]发光器件封装

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年5月17日提交的韩国专利申请10-2010-0046104的优先权权益，将其并入引用作为参考。

技术领域

本申请涉及一种发光器件封装。

背景技术

例如，发光器件可包括包含将电能转换为光的半导体器件的发光二极管(LED)。

这样的发光二极管可用芯片型半导体替代热或电的释放来生成光。

包括具有相对小尺寸的芯片的这样的LED和封装主体可易受静电损伤(ESD)的影响。诸如齐纳二极管的齐纳元件可用来减小ESD。

附图说明

参照下面的附图将对实施例进行详细的描述，其中相同的附图标记表示相同的元件，其中：

图1是根据在此广泛地描述的实施例的发光器件封装的截面图；

图2和图3示出了图1所示的发光器件封装的界面的高度；

图4示出了图1所示的发光器件封装的界面的高度关系；

图5是界面的结构与反射角之间关系的概念图；

图6是界面的截面图；

图7是另一界面的截面图；

图8是根据在此广泛地描述的另一实施例的发光器件封装的截面图；

图9是根据在此广泛地描述的另一实施例的发光器件封装的顶视图；

图10至14是填充在此具体化且广泛地描述的发光器件封装的树脂材料的各种布置的截面图；

图15是包括根据在此广泛地描述的实施例的发光器件的阵列的背光单元的透视图；

图16是包括根据在此广泛地描述的实施例的发光器件的阵列的另一背光单元的透视图；

图17是包括在此具体化且广泛地描述的的发光器件的示例性照明装置的透视图。

具体实施方式

下面将对示例性实施例进行详细地说明，实施例中的示例都是参照附图进行说明的。尽可能地，在所有的附图中用相同的附图标记表示相同的或类似的部分。

应该理解，当诸如层(膜)、区域、焊盘或者图案的器件被称为在另一器件“上”或“之下”时，它可能是直接或间接地在另一器件上或之下。此外，基于附图中的描述，将描述每一层的位置“在...上”或“在...之下”。

为了描述的方便和清楚，可能夸大、省略、或示意性地描述各个层的厚度或尺寸。因此，附图所示的各个器件的尺寸未必表示其真实尺寸。

此外，将参考附图所示来描述在描述发光器件阵列的结构期间所涉及的角度和方向。在发光器件阵列结构的描述中，如果没有清楚地陈述相对于角度和位置关系的参考点，那可以依据相关的附图。

参照附图1，如在此具体化且广泛地描述的发光器件封装包括：发光器件102；齐纳元件105；第一电极103，其上安装有该发光器件102；第二电极104，其与第一电极103分离并且其上安装有齐纳元件105；主体100，其包含第一和第二空腔倾斜面101a和101b，其定义第一电极103和第二电极104上的空腔101的侧面。

例如，主体100可由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)或氧化铝(AlO_x)、诸如光敏玻璃(PSG)的液晶聚合物、聚酰胺-9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al₂O₃)、氧化铍(BeO)、印刷电路版(PCB)、导电陶瓷、或它们的各种组合而组成。

可通过注塑成型或蚀刻工艺、或其它合适的工艺来形成主体100。主体100包括绝缘体100a以提供第一电极103和第二电极104之间的电绝缘。主体100可取决于特定的应用具有各种形状，例如包括长方形、圆形、多边形和其它这样的形状。主体100的表面除了其接触第一电极103和第二电极104的部分和其空腔101所处的部分外可覆盖有合成树脂材料或涂覆有绝缘膜。

从发光器件102发射到外部的光的照射角可根据第一和第二空腔倾斜面101a和101b相对于第一电极103和第二电极104的角而增大或减小。

例如，从发光器件102发射到外部的光的照射角可随着第一和第二空腔倾斜面101a和101b相对于第一电极103和第二电极104的角接近合适的角度而增大。从发光器件102发射到外部的光的照射角可随着第一和第二空腔倾斜面101a和101b相对于第一电极103和第二电极104的角偏离该合适的角度而减小。随着照射角的减小，从发光器件102发射到外部的光的聚集会增加。类似地，随着光的照射角的增大，从发光器件102发射到外部的光的聚集会减弱。