[发明专利]固态摄像器件及其制造方法和摄像装置

权利要求书

1.一种固态摄像器件，所述固态摄像器件的像素包括能够进行光电转换的传感器单元，所述固态摄像器件包括：

半导体基板；

第一导电类型的电荷存储区域，其形成在所述半导体基板中，并构成所述传感器单元；

由所述第一导电类型的杂质区域制成的电荷存储子区域，其在所述半导体基板中形成为位于用作主电荷存储区域的所述电荷存储区域的下方且形成为多层，其中，所述多层电荷存储子区域中的至少一层电荷存储子区域形成为遍布整个所述像素；和

器件隔离区域，其形成在所述半导体基板中，所述器件隔离区域使所述像素相互隔离，且是由第二导电类型的杂质区域制成。

2.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，形成为遍布整个像素的所述电荷存储子区域形成在距离所述半导体基板的表面1μm以上的深度处。

3.如权利要求1或2所述的固态摄像器件，其还包括半导体阱区域，所述半导体阱区域在所述半导体基板中形成为位于所述电荷存储子区域下方并遍布整个所述像素，所述半导体阱区域是由所述第二导电类型的杂质区域制成。

4.一种固态摄像器件的制造方法，所述固态摄像器件的像素包括能够进行光电转换的传感器单元，所述方法包括：

在半导体基板中形成遍布整个所述像素的由第一导电类型的杂质区域制成的至少一层电荷存储子区域，形成均由所述第一导电类型的杂质区域制成且包括形成为遍布整个所述像素的所述至少一层电荷存储子区域的多层电荷存储子区域；

在所述半导体基板中形成器件隔离区域，所述器件隔离区域使所述像素彼此隔离，且是由第二导电类型的杂质区域形成；及

在所述半导体基板中形成位于所述多层电荷存储子区域上方的所述第一导电类型的电荷存储区域，所述电荷存储区域用作所述传感器单元。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在形成为遍布整个所述像素的所述电荷存储子区域形成在整个摄像区域上之后，形成所述第二导电类型的所述器件隔离区域以便隔离每个像素的所述多层电荷存储子区域。

6.一种摄像装置，其包括：

聚光单元，其聚集入射光；

固态摄像器件，其是权利要求1-3中任一权利要求所述的固态摄像器件；以及

信号处理器，其对所述固态摄像器件的光电转换所获得的信号进行处理。