[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110153300.X | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102290334A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 川守崇司;增子崇;加藤木茂树;安田雅昭 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括：
粘接剂层形成工序：通过把粘接薄膜贴附在半导体晶圆上，在所述半导体晶圆上形成粘接剂层；
粘接剂图案形成工序：通过对该粘接剂层进行曝光和显影处理，形成粘接剂图案；
粘接工序：隔着所述粘接剂图案将被粘接物粘接在所述半导体晶圆上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述粘接剂形成工序中，在100℃以下的温度下，通过把所述粘接薄膜贴附在所述半导体晶圆上，形成所述粘接剂层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括切割工序：对通过所述粘接工序而得到的、贴合半导体晶圆和被粘接物之后而得到的物质，进行切割。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述被粘接物是玻璃基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
