[发明专利]壳体及其制备方法无效
申请号: | 201110147463.7 | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN102808160A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 曹达华;刘旭 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳体 及其 制备 方法 | ||
1.一种壳体,包括基材及形成于基材表面的类金刚石层,其特征在于:该类金刚石层中碳-碳以sp3杂化键的方式键合的比例为80%以上。
2.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:该类金刚石层中含有碳-氢键。
3.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:该基材的材质为不锈钢、铝合金或钛合金。
4.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:该类金刚石层的厚度为2.3~2.8μm。
5.一种壳体的制备方法,其包括如下步骤:
提供基材;
采用离子束辅助磁控溅射法在该基材的表面形成类金刚石层,使用石墨靶,以甲烷为离子源反应气体, 该类金刚石层中的碳-碳以sp3杂化键的方式键合的比例为80%以上。
6.如权利要求5所述的壳体的制备方法,其特征在于:所述基材的材质为不锈钢、铝合金或钛合金。
7.如权利要求5所述的壳体的制备方法,其特征在于:形成所述类金刚石层的步骤的具体工艺参数为:镀膜温度为150~200℃;以氩气为溅射气体,氩气的流量为120~150sccm,石墨靶的功率为15~18kw,施加于基材的偏压为150~200V,甲烷的流量为50~60sccm,离子源包括低能离子源及中能离子源,低能离子束流为60~80mA,中能离子束流为10~20mA;沉积时间为420~480min。
8.如权利要求5所述的壳体的制备方法,其特征在于:所述类金刚石层的厚度为2.3 ~2.8μm。
9.如权利要求5所述的壳体的制备方法,其特征在于:该类金刚石层中含有碳-氢键。
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