[发明专利]尤其指太阳能电池的半导体装置在审
| 申请号： | 201110139367.8 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102263142A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 彼得·恩苟哈特;罗伯特·色金;威海姆斯·马提伊斯·玛丽·克搜斯;吉耶斯·丁格门斯 | 申请（专利权）人： | Q-电池欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/055 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张春耀 |
| 地址： | 德国比特费尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尤其 太阳能电池 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，特别是太阳能电池，包括半导体衬底和钝化结构，所述半导体衬底具有半导体衬底表面，所述钝化结构由至少一个钝化层构成，所述钝化结构将所述半导体衬底表面钝化，其中，所述钝化层包含化合物，所述化合物由氧化铝、氮化铝或氮氧化铝以及至少一种其他元素构成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层的化合物中包含有氮、碳、磷、硼和/或氟作为所述其他元素。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层的化合物中包含金属作为所述其他元素。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层的化合物中包含稀土金属作为所述其他元素。
5.如上述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层直接布置在所述半导体衬底表面。
6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化结构包括一或多个布置在所述钝化层和所述半导体衬底表面之间的其他钝化层。
7.如上述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化结构包括至少一个其他钝化层，所述其他钝化层布置在所述钝化层远离所述半导体衬底表面的一侧。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化结构包括由交替布置的所述钝化层和其他钝化层所构成的层序列。
9.如上述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层为原子层沉积层。
10.如上述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化层设计为抗反射层、反射层或者抗反射层或反射层的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于Q-电池欧洲公司，未经Q-电池欧洲公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
